[pt] Este trabalho trata dos efeitos das não-linearidades de
transistores de efeito de campo utilizados em
amplificadores de microondas.
Para tanto, o transistor é modelado por um circuito não-
linear equivalente, cujos elementos são determinados
através da medição dos parâmetros espalhamento do mesmo,
na faixa de 3 GHz a 9 GHz, e com o auxílio de um programa
de otimização de circuitos e outro de ajuste de curvas.
O método de análise utilizado é o da expansão em série de
Volterra, para o qual foi desenvolvido um programa
computacional que permite a determinação dos ganhos de
transdução e das potências de saída na freqüência
fundamental e no terceiro produto de intermodulação, bem
como do ponto de 1dB de compressão de ganho, da taxa de
distorção de intermodulação de terceira ordem. Esse
programa permite, ainda, a verificação da influência das
impedâncias de fechamento fora da faixa, nas
características de distorção de intermodulação.
Através dessa análise pôde-se verificar que as terminações
fora da faixa exercem pouca ou nenhuma influência nas
características de distorção de intermodulação, com
exceção das terminações na freqüência diferença,
(freqüência de diferença = freqüência 2 - freqüência 1),
onde pôde-se constatar uma redução de até 8dB no nível do
terceiro produto de intermodulação, para uma escolha
apropriada das impedâncias de fechamento nessa freqüência.
Esses resultados, contudo, não podem ser considerados
definitivos, uma vez que o modelo adotado não levou em
consideração o fato do FET utilizado ser pré-adaptado.
Também, devido ao transistor ter-se danificado durante as
medições de intermodulação, tais resultados não puderam
ser comprovados experimentalmente. / [en] This work deals with the effects of non-linear ities of
field-effect transistors used in microwave amplifiers.
To do so, the transistor is modeled by a non-linear
equivalent circuit, with its components determined through
the measurement of its scattering parameters, in the range
of 3 GHz to 9GHz, and with the aid of a circuit
optimization program and another for curve fitting.
The method of analysis used is the Volterra series
expansion, for which a computer program was developed,
permitting the determination of the transducer gains and
output powers in the fundamental frequency, and in the
third-order intermodulation product, as well as the 1 dB
compression point, the third-order intermodulation
distortion ratio, and the third-order intercept point.
This program also allows for the verification of the
influence of out-of-band terminating impedances on the
intermodulation distortion characteristics.
Through this analysis it was possible to verify that the
out-of-band terminations have little or no influence on
the intermodulation distortion characteristics, with the
exception of the terminations in the difference frequency,
(difference frequency = frequency 2 - frequency 1), for
which it was found a decrease of up to 8 dB in the third-
order intermodulation product level, for the appropriate
choice of these impedances.
These results, however, cannot be said to represent the
real behavior of the FET since the model used did not
account for the internal matching of the device. Also, due
to the fact that the transistor was damaged during the
intermodulation measurements, such results could not be
verified experimentally.
| Identifer | oai:union.ndltd.org:puc-rio.br/oai:MAXWELL.puc-rio.br:9434 |
| Date | 05 January 2007 |
| Creators | JOAO TAVARES PINHO |
| Contributors | CHARLES FREDERIC POLZIN |
| Publisher | MAXWELL |
| Source Sets | PUC Rio |
| Language | Portuguese |
| Detected Language | Portuguese |
| Type | TEXTO |
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