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Élaboration et caractérisation de transistors MOS Schottky en régime nanométrique

Reproduction de : Thèse de doctorat : Électronique : Lille 1 : 2004. / N° d'ordre (Lille 1) : 3451. Résumé en français et en anglais. Titre provenant de la page de titre du document numérisé. Bibliogr. à la suite de chaque chapitre. Liste des publications.

Identiferoai:union.ndltd.org:OCLC/oai:xtcat.oclc.org:OCLCNo/495399582
Date January 2007
CreatorsLarrieu, Guilhem Stievenard, Didier Dubois, Emmanuel
PublisherVilleneuve d'Ascq : Université des sciences et technologies de Lille,
Source SetsOCLC
LanguageFrench
Detected LanguageFrench

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