[pt] Os tópicos mais importantes a ser tratados nesta tese de
doutorado são os vários problemas envolvidos na síntese
de
nanotubos contendo nitrogênio. Isto é principalmente
motivado pelas possíveis aplicações que podem ser dadas
a
este tipo de estruturas. A motivação central está
relacionada ao fato da possibilidade de fazer dopagens
tipo -p e -n em nanotubos de carbono, incorporando
átomos
como boro ou nitrogênio. Isto está muito longe de ser
uma
trivialidade devido a que devemos levar em conta que se
os
nanotubos de carbono forem pensados como bases
estruturais
para nanocompósitos e dispositivos nanoeletronicos, é
necessário controlar cuidadosamente a reatividade das
paredes, sua dureza mecânica e o gap eletrônico por meio
de um controle da quantidade de átomos inseridos nas
paredes ou entre elas. Portanto, do ponto de vista de
diferentes aplicações, é importante ter a possibilidade
de
dopar controladamente os nanotubos. Neste trabalho
apresentam-se o quadro descritivo da dependência dos
parâmetros de síntese, assim como uma investigação
detalhada da formação de outras estruturas co-produto do
processo de formação de nanotubos. Como uma idéia
pioneira
proposta neste trabalho, é enfatizado o uso de fontes
puras de C/N em processos de síntese baseados em
deposição
química na fase de vapor. Desta maneira foi possivel
determinar os efeitos da atmosfera de reação e o
pretratamento do catalizador como agentes favoráveis ou
desfavoráveis para a síntese efetiva de nanotubos de
carbono. / [en] The main topic of this thesis is the study of various
issues related to
the synthesis of nitrogen containing nanotubes. This is
mainly inspired in
the possible applications such structures can have.
The practical background lies in the fact that defined n-
and p-doping
of carbon nanotubes can be achieved by substituting carbon
atoms from
the tube walls by heteroatoms such as boron or nitrogen
(N). This is
far from been a triviality because we must keep in mind
that if carbon
nanotubes are to be used as future building blocks in
nanocomposites and
nanoelectronic devices, it is imperative to fine tune
their wall reactivity,
mechanical strength and electronic band gap by controlling
the amount of
foreign atoms inserted into the tube lattices. Therefore,
from an applications
standpoint, it is important to be able to carefully
control the insertion of
different dopants into nanotubes.
In this work, a complete picture of the dependence on the
combined
synthesis parameters is established and a fundamental
insight into the
formation of N doped nanotubes and other structures (co-
products) is
provided. As a pioneering idea of this whole work, the use
of pure C/N
feedstocks in chemical vapor deposition methods is
emphasized. With this,
it was possible to determine the effects of the reaction
atmosphere and the
catalyst pretreatment as either favoring or disfavoring
agents towards the
synthesis of N-doped nanotubes.
| Identifer | oai:union.ndltd.org:puc-rio.br/oai:MAXWELL.puc-rio.br:10399 |
| Date | 22 August 2007 |
| Creators | PAOLA ALEXANDRA AYALA HINOJOSA |
| Contributors | FERNANDO LAZARO FREIRE JUNIOR |
| Publisher | MAXWELL |
| Source Sets | PUC Rio |
| Language | Portuguese |
| Detected Language | Portuguese |
| Type | TEXTO |
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