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Strain-Controlled AlN Growth on SiC Substrates / SiC基板上への歪み制御AlN層の成長

京都大学 / 0048 / 新制・課程博士 / 博士(工学) / 甲第19997号 / 工博第4241号 / 新制||工||1656(附属図書館) / 33093 / 京都大学大学院工学研究科電子工学専攻 / (主査)教授 木本 恒暢, 教授 藤田 静雄, 准教授 船戸 充 / 学位規則第4条第1項該当 / Doctor of Philosophy (Engineering) / Kyoto University / DGAM

Identiferoai:union.ndltd.org:kyoto-u.ac.jp/oai:repository.kulib.kyoto-u.ac.jp:2433/217172
Date23 September 2016
CreatorsKaneko, Mitsuaki
Contributors木本, 恒暢, 藤田, 静雄, 船戸, 充, 金子, 光顕, カネコ, ミツアキ
Publisher京都大学 (Kyoto University), 京都大学
Source SetsKyoto University
LanguageEnglish
Detected LanguageEnglish
Typedoctoral thesis, Thesis or Dissertation
Formatapplication/pdf
Rights学位規則第9条第2項により要約公開, 許諾条件により要約は2017-09-20に公開 (2017-09-19修正)

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