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Etude du dopage par implantation ionique d'aluminium dans le carbure de silicium pour la réalisation de composants de puissance

Thèse de docteur-ingénieur : Génie Electrique : Villeurbanne, INSA : 2002. / Thèse : 2002ISAL0016. Bibliogr. p.209-217.

Identiferoai:union.ndltd.org:OCLC/oai:xtcat.oclc.org:OCLCNo/491296423
Date January 2002
CreatorsLazar, Mihai Bogdan Chante, Jean-Pierre Raynaud, Christophe.
Publisher[S.l.] : [s.n.],
Source SetsOCLC
LanguageFrench
Detected LanguageFrench

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