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Etude du dopage par implantation ionique d'aluminium dans le carbure de silicium pour la réalisation de composants de puissanceLazar, Mihai Bogdan Chante, Jean-Pierre Raynaud, Christophe. January 2002 (has links)
Thèse de docteur-ingénieur : Génie Electrique : Villeurbanne, INSA : 2002. / Thèse : 2002ISAL0016. Bibliogr. p.209-217.
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Caractérisation et modélisation de couches minces de 3C-SiC sur Si pour applications aux microsystèmes en environnements sévèresGourbeyre, Christophe Barbier, Daniel January 2002 (has links)
Thèse de doctorat : Dispositifs de l'électronique intégrée : Villeurbanne, INSA : 2000. / Thèse : 2000ISAL0108. Titre provenant de l'écran-titre. Bibliogr. p.185-196.
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Etude de la tenue en tension des dispositifs de puissance en carbure de silicium par caractérisations OBIC et électriquesIsoird, Karine Locatelli, Marie-Laure. January 2003 (has links)
Thèse de doctorat : Génie électrique : Villeurbanne, INSA : 2001. / Thèse : 2001ISAL0018. Titre provenant de l'écran-titre. Bibliogr. p.155-163.
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Conception, réalisation et caractérisation d'un composant limiteur de courant commandé en carbure de silicium et son intégration systèmeTournier, Dominique Planson, Dominique. January 2005 (has links)
Thèse doctorat : Génie Electrique : Villeurbanne, INSA : 2003. / Titre provenant de l'écran-titre. Bibliogr. p. 182-188. Publications de l'auteur p. 181.
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Analyse des défauts et des propriétés électroniques du SiC-4H par voie optiqueHida-El Harrouni, Ilham Guillot, Gérard Bluet, Jean-Marie. January 2005 (has links)
Thèse doctorat : Dispositifs de l'Electronique Intégrée : Villeurbanne, INSA : 2004. / Titre provenant de l'écran-titre. Réf. bibliogr. à la fin de chaque chapitre.
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Elaboration et étude des propriétés électro-optiques de matériaux hybrides à base de nanocristaux de carbure de siliciumBouclé, Johann Abdelhadi, Kassiba January 2004 (has links) (PDF)
Reproduction de : Thèse de doctorat : Physique de la matière condensée : Le Mans : 2004. / Titre provenant de l'écran-titre. Bibliogr. p 247-262.
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Conception, réalisation et caractérisation d'interrupteurs (thyristors et JFETs) haute tension (5kV) en carbure de siliciumBrosselard, Pierre Planson, Dominique. January 2005 (has links)
Thèse doctorat : Dispositifs de l'Electronique Intégrée : Villeurbanne, INSA : 2004. / Titre provenant de l'écran-titre. Bibliogr. p. 157-166.
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Nouveau procédé de croissance de nanofils à base de SiC et de nanotubes de BN étude des propriétés physiques d'un nanofil individuel à base de SiC /Bechelany, Mikhael Miele, Philippe. Cornu, David-Jacques January 2006 (has links) (PDF)
Reproduction de : Thèse de doctorat : Chimie des matériaux : Lyon 1 : 2006. / Titre provenant de l'écran titre. 290 réf. bibliogr.
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Caractérisations électriques et physico-chimiques des oxydes sur Carbure de Silicium application à une technologie MOSFETs /Ekoue, Adamah Guillot, Gérard January 2004 (has links)
Thèse de doctorat : Dispositifs de l'Electronique Intégrée : Villeurbanne, INSA : 2002. / Titre provenant de l'écran-titre. Bibliogr. p. 221-230.
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Elaboration de matériaux composites modèles unifilamentaires à fibres longues SiC et matrice silice sol-gel et caractérisation micromécanique de l'interfaceIbrahim, Mohamed Haisam Murat, Michel January 1998 (has links)
Thèse doctorat : Génie des Matériaux : Villeurbanne, INSA : 1997. / Titre provenant de l'écran-titre. Bibliogr. p. 191-198.
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