La surface occupée par la mémoire et la circuiterie digitale dans une carte à puce est prépondérante, ce qui motive l'utilisation de technologies à forte densité, mais impliquant une tension d'alimentation Vdd en dessous du volt. Par ailleurs, les cartes à puces étant destinées à des applications nomades, leur consommation est limitée alors que les fonctionnalités demandées deviennent plus nombreuses, ce qui nécessite de diminuer la consommation de chaque fonction élémentaire. Ainsi, le concepteur est amené à dimensionner des cellules analogiques fonctionnant sous spécifications nanowatt (faible tension d'alimentation - au plus 1 Volt - et faible consommation - quelques dizaines à quelques centaines de nano-ampères - ). Cette étude traite de l'élaboration d'une méthodologie de conception de circuits analogiques nanowatt, et de son application au domaine de la carte à puce. La méthodologie développée a été appliquée à des architectures autopolarisées et à polarisation fixée. Les circuits dimensionnés sous spécifications nanowatt, ont été simulés avec Spectre et les paramètres BSIM3v3 de la technologie CMOS 0.15µm de la société ATMEL. Les transistors qui ont été utilisés sont des transistors haute tension (HV oxyde épais). Les résultats de simulation se sont révélés cohérents avec les performances prédites par la méthodologie. Les mesures expérimentales ont confirmé l'aptitude de la méthodologie au dimensionnement de circuits sous spécifications nanowatt.
| Identifer | oai:union.ndltd.org:CCSD/oai:tel.archives-ouvertes.fr:tel-00408728 |
| Date | 25 November 2008 |
| Creators | Rudolff, Francois |
| Publisher | Université de Provence - Aix-Marseille I |
| Source Sets | CCSD theses-EN-ligne, France |
| Language | French |
| Detected Language | French |
| Type | PhD thesis |
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