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Identification of Deep Levels in SiC and Their Elimination for Carrier Lifetime Enhancement / SiC中の深い準位の解析とキャリア寿命増大に向けた準位低減法の確立

Kyoto University (京都大学) / 0048 / 新制・課程博士 / 博士(工学) / 甲第17579号 / 工博第3738号 / 新制||工||1570(附属図書館) / 30345 / 京都大学大学院工学研究科電子工学専攻 / (主査)教授 木本 恒暢, 教授 髙岡 義寛, 准教授 船戸 充 / 学位規則第4条第1項該当

Identiferoai:union.ndltd.org:kyoto-u.ac.jp/oai:repository.kulib.kyoto-u.ac.jp:2433/174945
Date25 March 2013
CreatorsKawahara, Koutarou
Contributors木本, 恒暢, 髙岡, 義寛, 船戸, 充, 川原, 洸太朗, カワハラ, コウタロウ
Publisher京都大学 (Kyoto University), 京都大学
Source SetsKyoto University
LanguageEnglish
Detected LanguageEnglish
TypeDFAM, Thesis or Dissertation
Formatapplication/pdf

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