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Epitaxial Growth of Wide Bandgap Compound Semiconductors for Laser Diodes / 半導体レーザ用ワイドバンドギャップ化合物半導体のエピタキシャル成長

Kyoto University (京都大学) / 0048 / 新制・論文博士 / 博士(工学) / 乙第12695号 / 論工博第4084号 / 新制||工||1555(附属図書館) / 29947 / (主査)教授 平尾 一之, 教授 田中 勝久, 教授 三浦 清貴 / 学位規則第4条第2項該当

Identiferoai:union.ndltd.org:kyoto-u.ac.jp/oai:repository.kulib.kyoto-u.ac.jp:2433/161023
Date24 September 2012
CreatorsTsujimura, Ayumu
Contributors平尾, 一之, 田中, 勝久, 三浦, 清貴, 辻村, 歩, ツジムラ, アユム
Publisher京都大学 (Kyoto University), 京都大学
Source SetsKyoto University
LanguageEnglish
Detected LanguageEnglish
TypeDFAM, Thesis or Dissertation
Formatapplication/pdf

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