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Estudo dos parâmetros da difusão de Zn em GaAs e Ga 0,7 Al 0,3As

Orientador: Marcio D'Olne Campos / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-16T22:46:58Z (GMT). No. of bitstreams: 1
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Previous issue date: 1982 / Resumo: Visando a reprodutibilidade, das difusões de Zn em GaAs e Ga0,7 Al0,3 As estudamos a variação da profundidade da junção com o tempo e a temperatura de difusão, e a partir dai obtemos as equações empíricas para a "velocidade" de difusão, bem como a energia de ativação.
Para as difusões de Zn em GaAs estudamos também a variação da concentração dos portadores em função da distância na camada difundida. Com isso pudemos observar o comportamento anômalo dessas difusões e que não permite calcularmos o coeficiente de difusão pelos métodos tradicionais. Calculamos o coeficiente de difusão usando método de Boltzmann Matano.
Este estudo torna-se importante na preparação de dispositivos especiais obtidos por crescimento epitaxial associado à difusão térmica de impurezas / Abstract: Not informed. / Mestrado / Física / Mestre em Física

Identiferoai:union.ndltd.org:IBICT/oai:repositorio.unicamp.br:REPOSIP/278320
Date23 July 1982
CreatorsSato, Edna Aparecida Sabadini
ContributorsUNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINAS, Campos, Marcio D'Olne, 1943-
Publisher[s.n.], Universidade Estadual de Campinas. Instituto de Física Gleb Wataghin, Programa de Pós-Graduação em Física
Source SetsIBICT Brazilian ETDs
LanguagePortuguese
Detected LanguagePortuguese
Typeinfo:eu-repo/semantics/publishedVersion, info:eu-repo/semantics/masterThesis
Format91f. : il., application/pdf
Sourcereponame:Repositório Institucional da Unicamp, instname:Universidade Estadual de Campinas, instacron:UNICAMP
Rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess

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