Orientador: Marcio D'Olne Campos / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-16T22:46:58Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Sato_EdnaAparecidaSabadini_M.pdf: 1441367 bytes, checksum: 467d273bf5e3b3a2d450a0680dd9c6ef (MD5) Previous issue date: 1982 / Resumo: Visando a reprodutibilidade, das difusões de Zn em GaAs e Ga0,7 Al0,3 As estudamos a variação da profundidade da junção com o tempo e a temperatura de difusão, e a partir dai obtemos as equações empíricas para a "velocidade" de difusão, bem como a energia de ativação. Para as difusões de Zn em GaAs estudamos também a variação da concentração dos portadores em função da distância na camada difundida. Com isso pudemos observar o comportamento anômalo dessas difusões e que não permite calcularmos o coeficiente de difusão pelos métodos tradicionais. Calculamos o coeficiente de difusão usando método de Boltzmann Matano. Este estudo torna-se importante na preparação de dispositivos especiais obtidos por crescimento epitaxial associado à difusão térmica de impurezas / Abstract: Not informed. / Mestrado / Física / Mestre em Física

Orientador: Nelson de Jesus Parada / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-16T23:08:02Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Silva_AntonioFerreirada_M.pdf: 3654324 bytes, checksum: 3f06e6469299f6d746e899f2d10137af (MD5) Previous issue date: 1975 / Resumo: Neste trabalho determinamos as faixas de energia do GaAs, levando em consideração a sua ionicidade, utilizando o método APW- K.p. Inicialmente, calculamos os níveis de energia no ponto G, centro da Zona de Brillouin, sem ionicidade, e encontramos dez níveis, sendo quatro não degenerados ( simetria G1 ), dois duplamente degenerados ( simetria G12 ) e quatro triplamente degenerado ( simetria G15 ). O "gap" encontrado foi Eg = 1.583 eV. Variamos, então, ionicidade, em 10.0%, 20.0%, 25.0% e 30.0% e encontramos, para 10.0% ( e com o potencial médio fora das esferas "muffin-tin" para esta ionicidade ), o "gap" experimental E = 1.520 eV entre 2G15 e 2G1 .Observamos que o potencial médio fora das esferas e o "gap" decrescem com a ionicidade e, além disso, que o "gap" decresce linearmente com o potencial médio. A fim de testar a convergência do método fizemos variaçõesno número de termos que entram na constituição da função APW, variando tanto o número de vetores da rede recíproca como o número de l's , obtendo bons resultados para nkm = 15 e l = 13. O estudo do comportamento do "gap" com a variação dos raios das esferas foi também realizado neste trabalho. Calculamos as faixas de energia nos eixos de simetria D, L e S para ionicidade de 0,0 % ( com o potencial médio Vm = V calculado na região fora das esferas ), 10.0% ( também com V ) e 30.0% ( com o potencial ajustado Vc na região fora das esferas a fim de reproduzir o "gap" experimental ) . Os resultados obtidos estão qualitativamente em bom acordo com os dados experimentais existentes, devendo-se, entretanto, salientar que embora a ionicidade influencia bastante os níveis de energia em G ( e em particular no "gap" ), o mesmo não acontece com as faixas ao longo dos eixos de simetria, as quais se mantiveram praticamente inalterados / Abstract: Not informed. / Mestrado / Física / Mestre em Física

Orientador: Nelson de Jesus Parada / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-23T17:50:02Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Brescansin_LuizMarco_M.pdf: 1642543 bytes, checksum: a83d33a8bab288a7875e2d40e80bdb08 (MD5) Previous issue date: 1972 / Resumo: Neste trabalho foram calculadas as faixas de energia eletrônicas do AlSb pelo método APW-K.P. Inicialmente, pelo método APW não relativistico foram calculadas nove faixas de energia no ponto G que, juntamente com as correspondentes autofunções da Hamiltoniana foram utilizadas para obter os elementos de matriz do operador momento P entre estados em G. Estes, por sua vez, foram utilizados na expansão K.P para se obterem as energias e autofunções nos eixos de simetria 2p/a(l ,0,0) , 3p/2a(1,1,0) e p/a(1,1,1 ). Posteriormente foi verificado como as correções relativisticas afetam os resultados no ponto G: com as correções de Darwin e massa-velocidade, novas energias e funções de onda foram calculadas nesse ponto e finalmente introduziu-se a correção do termo spin-órbita, quando é necessário levar em conta o spin nas funções de onda, que são construidas a partir das autofunções da Hamiltoniana não relativistica. Os elementos de matriz relativistico entre estas funções de onda foram calculadas numericamente e a matriz Hamiltoniana resultante foi diagonalizada, dando os níveis de energia relativisticos do AlSb no ponto G. Os resultados obtidos deixam antever a necessidade de correções à forma do potencial "muffin-tin", bem como a necessidade de um cálculo de faixas de energia auto-consistente, para uma tentativa de interpretar corretamente os dados experimentais disponiveis deste material / Abstract: Not informed. / Mestrado / Física / Mestre em Física

Orientador: Carlos Lenz Cesar / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-08-01T05:35:37Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Neves_AntonioAlvaroRanha_M.pdf: 4321994 bytes, checksum: 3488120f609c5c1d068a723e3000e833 (MD5) Previous issue date: 2002 / Resumo: Nesta tese são estudados nanocristais coloidais de semicondutores II-VI e IV-VI no regime de confinamento quântico (pontos quânticos). Este trabalho em sistemas coloidais é o primeiro do nosso grupo. O interesse nesse tipo de sistema ocorre para poder explicar a quebra de linha do estado fundamental, devido à presença do "stress-strain" na interface dos pontos quânticos em matriz vítrea. As sínteses destes nanocristais utilizam métodos recentes para fabricar nanocristais quase monodispersos de CdSe com raios da ordem de 1,7 nm e dispersão de 3,8%. Pode-se observar a dependência do tamanho com adição de água no sistema, cuja tendência é aumentar. Apresentamos também uma discussão sobre a cinética da reação com ênfase no alargamento e estreitamento da distribuição de tamanho, dependendo do tamanho do raio crítico. Além da síntese dos colóides, as técnicas experimentais adotadas nesse trabalho foram a microscopia eletrônica de transmissão e a absorção óptica. Para a absorção óptica, foi aplicada a teoria do k . p , já estudada pelo nosso grupo, desta vez aplicada a um material de estrutura wurtzita. Foi elaborado um programa para determinar os níveis de energia para os parâmetros tabelados. Os resultados deste modelo foram utilizados em nossas interpretações dos resultados experimentais / Abstract:This thesis studies colloidal nanocrystals of II-VI and IV-VI in the quantum confinement regime (quantum dots). This work with colloidal systems is the first in our group. The interest on these systems comes from the fact that it could explain the splitting of the fundamental state, due to the presence of stress-strain on the quantum dots interface with the glass matrix. The synthesis of these nanocrystals utilizes recent methods to produce nearly monodisperse CdSe nanocrystals with radius of about 1,7 nm and a dispersion of 3,8%. The dependence of size when water is added to the system can be observed, whose tendency is to increase. We have presented a discussion about the reaction kinetics with emphasis on the broadening and narrowing of the size distribution, depending on the size of the critical radius. Besides the colloidal synthesis, the experimental techniques adopted in this work where: transmission electron microscopy and optical absorption. For the optical absorption, we used the theory, already studied by our group, now applied to a wurtzite material. A program was elaborated to determine the energy levels for tabulated parameters. The results of this model were used in our interpretation of the experimental results / Mestrado / Física / Mestre em Física