Orientador: Nicolao Jannuzzi / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-23T17:35:41Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Scarparo_MarcoAntonioFiori_M.pdf: 1349916 bytes, checksum: a859770f891dc4309784c32e7325dd15 (MD5) Previous issue date: 1973 / Resumo: O presente trabalho consta fundamentalmente do estudo da fotoluminescência nas ligas cristalinas de Ga(As1-xPx) para x = 0,27 e x = 0,41. A luminescência se dá no visível, obtida com a excitação das amostras com a linha 5,145 Angstrons do laser de Argonio. Submetemos as duas amostras a variações de excitação e temperatura. Utilizamos excitações da ordem de 125 microwatts a 800 miliwatts, e temperaturas de 77 K a 293 K. Calculamos, baseado nos trabalhos de M. B. Panish e H. C. Casey, (14) as variações dos "gaps" de energia com a temperatura para as duas composições citadas. Criamos modêlos (V e V') que caracterizam transições radiativas nas ligas de Ga(As1-xPx) para as composições estudadas. Estes modelos propostos evidenciam transições radiativas entre estados doadores, ligados a mínimos diferentes da banda de condução e a banda de valência. Os doadores mais rasos estão ligados aos "gap" direto e os doadores mais profundos estão ligados ao "gap" indireto. Estimamos as posições relativas dos doadores em relação aos "gaps" direto, e indireto para ambas as amostras e mostramos os efeitos da excitação e da temperatura nas transições radiativas entre os estados doadores e a banda de valência / Abstract: Not informed. / Mestrado / Física / Mestre em Física

Orientadores: Nelson de Jesus Parada, L. G. Ferreira / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-15T03:44:30Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Brescansin_LuizMarco_D.pdf: 1866863 bytes, checksum: eaa13c0981301518740c99f0648bc444 (MD5) Previous issue date: 1978 / Resumo: Neste trabalho estudamos a estrutura eletrônica do Na+Cl-, que é um isolante de "gap" direto relativamente grande (~8eV), através do método SCF-Xa. Propomos uma nova maneira de calcular o potencial do "cluster", impondo que ele tenha as mesmas características do potencial no cristal. Com o potencial autoconsistente calculado no "cluster", resolvemos a equação de Schrödinger no cristal, utilizando o método KKR (ou APW) e comparamos as bandas de energia obtidas com os resultados experimentais disponíveis / Abstract: In the present work we study the electronic structure of Na+Cl-, an insulator with a relatively large direct gap (~8eV), using the SCF-Xa method. A new way of calculating the cluster potential is proposed, by imposing thet it has the same features as the crystal potential. With the calculated self-consistent cluster potential, we solve Schrödinger's equation in the crystal, through the KKR (or APW) method and we compare the resulting energy bands with the available experimental results / Doutorado / Física / Doutor em Ciências

Orientador: Nelson de Jesus Parada / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-23T17:20:23Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Lima_IvanCostadaCunha_M.pdf: 1212472 bytes, checksum: de3745907fbae98ea7745ef76b18de3c (MD5) Previous issue date: 1972 / Resumo: O presente trabalho trata da determinação das faixas eletrônicas do AlAs utilizando-se o método APW-k.p o ( não relativístico ). Foi usado o valor a= 5.660 Å para o parâmetro de rede eV= -0,7500 ua para o potencial constante fora das esferas na aproximação "muffin-tin". Foram obtidos sate ( 7 ) níveis de energia no ponto G - centro da zona de Brillouin - sendo três ( 3 ) triplamente degenerados ( simetria G 15 ), um ( 1 ) duplamente degenerado ( simetria G12 ) e três ( 3 ) não degenerados ( simetria Gl ). O valor do "gap" direto obtido foi E'g = 1,58 eV, entre os níveis G15v e Glc. Com as funções de onda e os níveis de energia no ponto G, foram calculados os elementos de matriz do momento a serem utilizados na expansão k.p, para obtermos as faixas nos eixos de simetria 2p/a ( 1,0,0 ), 3p/2a( 1,1,0 ) e p/a ( 1,1,1 ). O "gap" indireto foi encontrado no primeiro eixo - ( eixo D ) - próximo do ponto X, com valor Eg = 1,36 eV. Os resultados obtidos mostraram ser qualitativamente satisfatórios quando comparados com os encontrados na literatura, indicando, entretanto, serem necessárias correções relativísticas e de interação spin-orbita / Abstract: Not informed. / Mestrado / Física / Mestre em Física

Orientador: Marcio A.A. Pudensi / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-17T14:01:56Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Tabata_AmericoSheitiro_M.pdf: 727451 bytes, checksum: 6f553ad446b36fbefaabb37c21ce3d4a (MD5) Previous issue date: 1988 / Resumo: Não informado / Abstract: Not informed. / Mestrado / Física / Mestre em Física

Orientador: Nelson de Jesus Parada / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-23T17:50:02Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Brescansin_LuizMarco_M.pdf: 1642543 bytes, checksum: a83d33a8bab288a7875e2d40e80bdb08 (MD5) Previous issue date: 1972 / Resumo: Neste trabalho foram calculadas as faixas de energia eletrônicas do AlSb pelo método APW-K.P. Inicialmente, pelo método APW não relativistico foram calculadas nove faixas de energia no ponto G que, juntamente com as correspondentes autofunções da Hamiltoniana foram utilizadas para obter os elementos de matriz do operador momento P entre estados em G. Estes, por sua vez, foram utilizados na expansão K.P para se obterem as energias e autofunções nos eixos de simetria 2p/a(l ,0,0) , 3p/2a(1,1,0) e p/a(1,1,1 ). Posteriormente foi verificado como as correções relativisticas afetam os resultados no ponto G: com as correções de Darwin e massa-velocidade, novas energias e funções de onda foram calculadas nesse ponto e finalmente introduziu-se a correção do termo spin-órbita, quando é necessário levar em conta o spin nas funções de onda, que são construidas a partir das autofunções da Hamiltoniana não relativistica. Os elementos de matriz relativistico entre estas funções de onda foram calculadas numericamente e a matriz Hamiltoniana resultante foi diagonalizada, dando os níveis de energia relativisticos do AlSb no ponto G. Os resultados obtidos deixam antever a necessidade de correções à forma do potencial "muffin-tin", bem como a necessidade de um cálculo de faixas de energia auto-consistente, para uma tentativa de interpretar corretamente os dados experimentais disponiveis deste material / Abstract: Not informed. / Mestrado / Física / Mestre em Física

Orientador: Nelson de Jesus Parada / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-23T17:23:07Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Meneses_GildaDalcanale_M.pdf: 2389543 bytes, checksum: 23c0cfa094ad60087ef5081f4faf18a9 (MD5) Previous issue date: 1972 / Resumo: Neste trabalho é feito um estudo dos níveis de energia eletrônicos no centro da zona de Brillouin, da liga CdxHg1-x Te para as composições x = 0, 0.1, 1.2, 0.3, 0.5, 0.6, 0.8 e 1.0, incluindo, portanto, os cristais componentes do sistema HgTe. Foram utilizados os valores de 6,43 Å e 6,477 Å para o parâmetro de rede, e 0.6715 Ry e 0.633 Ry para Vc, o potencial constante fora das esferas no modelo "Muffin - tin". O Método empregado é o APW ( Augmented Plane Wave ) não relativístico. O potencial cristalino da liga foi aproximado pelo potencial virtual. Curvas que dão a evolução das energias E( G ), Gj = Gl, G2 , G12, G15, G25 em função da composição x foram determinadas, tendo sido feita uma estimativa da variação do 'gap" com a composicão. Para HgTe e CdTe, foi obtida a a variação do "gap" de energia, com o único parâmetro ajustável do cálculo, o potencial constante Vc fora das esferas. Foi calculada, ainda, a função de onda correspondente a cada. nível de energia. Os resultados quantitativos encontrados indicam serem necessárias correções relativisticas e do potencial cristalino da liga / Abstract: Not informed. / Mestrado / Física / Mestre em Física

Orientador: Roberto Luzzi / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-15T08:48:19Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Sampaio_AntonioJosedaCosta_D.pdf: 2605293 bytes, checksum: 1a6b273715fb19378c33c661469f64dd (MD5) Previous issue date: 1983 / Resumo: Sérias dificuldades surgem quando estudamos sistemas que se encontram longe do equilíbrio termodinâmico, principalmente porque sabemos ser completamente inaplicáveis às Teorias Lineares (Resposta Linear de Kubo, etc.). Nós discutimos neste trabalho a reação de um plasma fotoexcitado num semicondutor polar de Gap direto e, conjuntamente, fazemos uma análise completa sobre a cinética de relaxação deste sistema, isto é, como o sistema evolui para o equilíbrio termodinâmico. Usamos o método estatístico de não-equilíbrio proposto por Zubarev para a matriz densidade r(t). A partir deste construímos a função Resposta dada em termos de funções de Green Termodinâmicas, cujas soluções estão acopladas ao conjunto de equações de Transporte não-lineares que descrevem a evolução do fenômeno irreversível que ocorre no sistema. Os resultados teóricos são comparados com os dados fornecidos pela experiência, obtidas com a espectroscopia ótica ultra-rápida com resolução temporal para o CdSe e o GaAs e os resultados da comparação estão em excelente arranjo. Discutimos o espectro que determina um plasma no CdSe e também discutimos os vários canais de relaxação relevante para o GaAs. Mostramos que o estudo teórico e numérico proporciona uma boa descrição dos mecanismos de perda de energia que são considerados para esta espécie de sistemas / Abstract: Not informed. / Doutorado / Física / Doutor em Ciências

Orientador: N.J. Parada / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-15T04:46:45Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Moreira_FranciscoGeorgeBrady_M.pdf: 2047683 bytes, checksum: af6637cbab3e4b69986bdb1c6f98dbde (MD5) Previous issue date: 1974 / Resumo: Estudamos a aplicabilidade do método K.P semi-empírico de Cardona e Pollak aos semicondutores do grupo de compostos III - V, em particular ao GaP, e discutimos suas vantagens e desvantagens quando comparado com um cálculo de primeiros princípios APW - K.P. Por argumentos de simetria é mostrado a necessidade de se incluir no esquema de níveis no ponto G pelo menos um nível com simetria G12, qualquer que seja a tentativa de um cálculo semi-empírico , nas direções de simetria D, L e S. Para compostos III - V isto significa.que a mínima dimensão do hamiltoniano K.P é 11 x 11 com , 11 elementos de matriz diferentes de zero para serem variados. Além do mais os elementos de matriz de p são números complexos e o que é avaliável experimentalmente são os módulos destas quantidades. Por conseguinte, concluimos pela inaplicabilidade do método semi-empírico aos semicondutores III - V enquanto que a aplicação do método APw-K.P não muffin-tin é recomendada / Abstract: Not informed. / Mestrado / Física / Mestre em Física