The prediction and the experimental discovery of topological insulators has set the stage for a novel type of electronic devices. In contrast to conventional metals or semiconductors, this new class of materials exhibits peculiar transport properties at the sample surface, as conduction channels emerge at the topological boundaries of the system.
In specific materials with strong spin-orbit coupling, a particular form of a two-dimensional topological insulator, the quantum spin Hall state, can be observed.
Here, the respective one-dimensional edge channels are helical in nature, meaning that there is a locking of the spin orientation of an electron and its direction of motion.
Due to the symmetry of time-reversal, elastic backscattering off interspersed impurities is suppressed in such a helical system, and transport is approximately ballistic.
This allows in principle for the realization of novel energy-efficient devices, ``spintronic`` applications, or the formation of exotic bound states with non-Abelian statistics, which could be used for quantum computing.
The present work is concerned with the general transport properties of one-dimensional helical states. Beyond the topological protection mentioned above, inelastic backscattering can arise from various microscopic sources, of which the most prominent ones will be discussed in this Thesis. As it is characteristic for one-dimensional systems, the role of electron-electron interactions can be of major importance in this context.
First, we review well-established techniques of many-body physics in one dimension such as perturbative renormalization group analysis, (Abelian) bosonization, and Luttinger liquid theory. The latter allow us to treat electron interactions in an exact way.
Those methods then are employed to derive the corrections to the conductance in a helical transport channel, that arise from various types of perturbations.
Particularly, we focus on the interplay of Rashba spin-orbit coupling and electron interactions as a source of inelastic single-particle and two-particle backscattering. It is demonstrated, that microscopic details of the system, such as the existence of a momentum cutoff, that restricts the energy spectrum, or the presence of non-interacting leads attached to the system, can fundamentally alter the transport signature.
By comparison of the predicted corrections to the conductance to a transport experiment, one can gain insight about the microscopic processes and the structure of a quantum spin Hall sample.
Another important mechanism we analyze is backscattering induced by magnetic moments. Those findings provide an alternative interpretation of recent transport measurements in InAs/GaSb quantum wells. / Mit der Vorhersage und der experimentellen Entdeckung von topologischen Isolatoren
wurde die Grundlage für eine vollkommen neue Art von elektronischen Bauelementen
geschaffen. Diese neue Klasse von Materialien zeichnet sich gegenüber herkömmlichen
Metallen und Halbleitern durch besondere Transporteigenschaften der Probenoberfläche
aus, wobei elektrische Leitung in Randkanälen an den topologischen Grenzflächen des
Systems stattfindet. Eine spezielle Form des zweidimensionalen topologischen Isolators
stellt der Quanten-Spin-Hall-Zustand dar, welcher in bestimmten Materialien mit starker
Spin-Bahn-Kopplung beobachtet werden kann. Die hier auftretenden eindimensionalen
Leitungskanäle sind von helikaler Natur, was bedeutet, dass die Orientierung des Spins
eines Elektrons und seine Bewegungsrichtung fest miteinander gekoppelt sind. Aufgrund
von Symmetrien wie Zeitumkehr ist elastische Rückstreuung an eventuell vorhandenen
Störstellen in solchen helikalen Kanälen verboten, sodass elektrische Leitung als nahezu
ballistisch betrachtet werden kann. Prinzipiell bieten sich dadurch neue Möglichkeiten zur
Konstruktion von energieeffizienten Transistoren, “Spintronik“-Bauelementen, oder zur
Erzeugung von speziellen Zuständen, die für den Betrieb eines Quantencomputers benutzt
werden könnten.
Die vorliegende Arbeit beschäftigt sich mit den allgemeinen Transporteigenschaften von
eindimensionalen, helikalen Randzuständen. Neben dem oben erwähnten topologischen
Schutz gibt es zahlreiche Störquellen, die inelastische Rückstreuprozesse induzieren. Die
wichtigsten davon werden im Rahmen dieser Dissertation beleuchtet. Entscheidend wirkt
hierbei oft die Rolle von Elektron-Elektron-Wechselwirkungen, welche in eindimensionalen
Systemen generell von großer Bedeutung ist.
Zunächst werden bewährte Techniken der Festkörperphysik wie etwa Abelsche Bosonisierung
(mithilfe derer Wechselwirkungen in einer Raumdimension exakt berücksichtigt
werden können), die Theorie von Luttinger Flüssigkeiten, oder die störungstheoretische Renormierungsgruppenanalyse
rekapituliert. Diese Methoden werden im Weiteren benutzt,
um die Korrekturen zum Leitwert eines helikalen Transportkanals zu berechnen, welche
aufgrund von ausgewählten Störungen auftreten können. Ein Fokus liegt hierbei auf dem
Zusammenspiel vonWechselwirkungen und Rashba Spin-Bahn-Kopplung als Quelle inelastischer
Ein-Teilchen- oder Zwei-Teilchen-Rückstreuung. Mikroskopische Details wie etwa
die Existenz einer Impulsobergrenze, welche das Energiespektrum beschränkt, oder die
Anwesenheit von wechselwirkungsfreien Spannungskontakten, sind dabei von grundsätzlicher
Bedeutung. Die charakteristische Form der vorhergesagten Korrekturen kann dazu
dienen, die Struktur und die mikroskopischen Vorgänge im Inneren einer Quanten-Spin-
Hall-Probe besser zu verstehen. Ein weiterer grundlegender Mechanismus ist Rückstreuung
verursacht durch magnetische Momente. Aus der entsprechenden Analyse der Korrekturen
zur Leitfähigkeit ergeben sich interessante Übereinstimmungen mit aktuellen Experimenten
in InAs/GaSb Quantentrögen.
| Identifer | oai:union.ndltd.org:uni-wuerzburg.de/oai:opus.bibliothek.uni-wuerzburg.de:15345 |
| Date | January 2017 |
| Creators | Geißler, Florian |
| Source Sets | University of Würzburg |
| Language | English |
| Detected Language | German |
| Type | doctoralthesis, doc-type:doctoralThesis |
| Format | application/pdf |
| Rights | https://creativecommons.org/licenses/by-sa/4.0/deed.de, info:eu-repo/semantics/openAccess |
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