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Characterisation of Si-Si bonded wafers and low-k silica xerogel films by means of optical spectroscopies

In dieser Arbeit werden als Untersuchungsverfahren für die Charakterisierung von gebondeten Siliziumwafern und Siliziumoxid-Xerogel-Schichten spektroskopische Ellipsometrie mit variablem Einfallswinkel (VASE) und Fouriertransformations-infrarotspektroskopie (FTIR) eingesetzt.
Aus dem Verhalten der LO- und TO-Moden in den Infrarotspektren werden Veränderungen der Dicke und Struktur der vergrabenen Grenzfläche zweier Wafer bei einer Wärmebehandlung abgeleitet. Es werden Mechanismen für das Tieftemperaturbonden von Wafern, die auf der Entwicklung der chemischen Spezies an der vergrabenen Grenzfläche basieren, vorgeschlagen. Die chemischen Spezies wurden durch interne Vielfachtransmissionsinfrarotspektroskopie ermittelt.
Aus ellipsometrischen Messungen wurden Dicke, optische Konstanten, Porosität und Porenabmessungen von Siliziumoxid-Xerogel bestimmt. Mittels VASE und FTIR wurde der Einfluss unterschiedlicher Hydrophobisierungsprozesse auf die Eigenschaften von Xerogel-Schichten untersucht. Weiterhin wurden die elektronischen und ionischen Beiträge zur statischen Dielektrizitätskonstanten bestimmt.

Identiferoai:union.ndltd.org:DRESDEN/oai:qucosa.de:swb:ch1-200300354
Date16 April 2003
CreatorsHimcinschi, Cameliu Constantin
ContributorsTU Chemnitz, Fakultät für Naturwissenschaften, Prof. Dr. Dietrich R.T. Zahn, Prof. Dr. Thomas Gessner, Prof. Dr. Ulrich M. Gösele
PublisherUniversitätsbibliothek Chemnitz
Source SetsHochschulschriftenserver (HSSS) der SLUB Dresden
LanguageEnglish
Detected LanguageGerman
Typedoc-type:doctoralThesis
Formatapplication/pdf, text/plain, text/plain, text/plain, text/plain, text/plain, text/plain, text/plain, text/plain, application/zip

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