Dissertação (mestrado) - Universidade Federal de Santa Catarina. Centro Tecnologico / Made available in DSpace on 2016-01-08T18:17:22Z (GMT). No. of bitstreams: 0
Previous issue date: 1993 / Neste trabalho apresentamos um modelo analítico explícito do transistor MOS canal longo, válido em todas as regiões de operação (inversão fraca, moderada e forte). A fim de se chegar a uma adequada previsão do comportamento do dispositivo, suas propriedades físicas foram cuidadosamente observadas. A corrente de dreno, as cargas totais e os parâmetros de pequenos sinais para operação quasi-estática são equacionados de maneira muito simples em termos das densidades de carga de inversão nos extremos do canal. Estas, por sua vez, são precisamente formuladas como funções explícitas das tensões terminais.
| Identifer | oai:union.ndltd.org:IBICT/oai:repositorio.ufsc.br:123456789/157805 |
| Date | January 1993 |
| Creators | Cunha, Ana Isabela Araujo |
| Contributors | Universidade Federal de Santa Catarina, Galup-Montoro, Carlos |
| Source Sets | IBICT Brazilian ETDs |
| Language | Portuguese |
| Detected Language | Portuguese |
| Type | info:eu-repo/semantics/publishedVersion, info:eu-repo/semantics/masterThesis |
| Source | reponame:Repositório Institucional da UFSC, instname:Universidade Federal de Santa Catarina, instacron:UFSC |
| Rights | info:eu-repo/semantics/openAccess |
Page generated in 0.0013 seconds