Study on Resistive Switching Phenomenon in Metal Oxides for Nonvolatile Memory / 不揮発性メモリに向けた金属酸化物における抵抗スイッチング現象に関する研究

Description

京都大学 / 0048 / 新制・課程博士 / 博士(工学) / 甲第18285号 / 工博第3877号 / 新制||工||1595(附属図書館) / 31143 / 京都大学大学院工学研究科電子工学専攻 / (主査)教授 木本 恒暢, 教授 藤田 静雄, 准教授 掛谷 一弘 / 学位規則第4条第1項該当 / Doctor of Philosophy (Engineering) / Kyoto University / DFAM

Links & Downloads

1. http://hdl.handle.net/2433/188598
2. 14301甲第18285号
3. 10.14989/doctor.k18285
4. 14301

Tags

Resistive RAM

Resistive switching phenomenon

Nickel oxide

Conductive filaments

Oxygen vacancy

500

Additional Fields

Identifer	oai:union.ndltd.org:kyoto-u.ac.jp/oai:repository.kulib.kyoto-u.ac.jp:2433/188598
Date	24 March 2014
Creators	Iwata, Tatsuya
Contributors	木本, 恒暢, 藤田, 静雄, 掛谷, 一弘, 岩田, 達哉, イワタ, タツヤ
Publisher	京都大学 (Kyoto University), 京都大学
Source Sets	Kyoto University
Language	English
Detected Language	English
Type	doctoral thesis, Thesis or Dissertation
Format	application/pdf