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Influencia da ionicidade em niveis de energia de semicondutores com estrutura zinc-blende : aplicação ao InSb

Orientador: Nelson de Jesus Parada / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-17T21:21:29Z (GMT). No. of bitstreams: 1
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Previous issue date: 1975 / Resumo: Neste trabalho foram calculados os níveis de energia eletrônicos do InSb pelo método APW.
Inicialmente pelo método APW não relativístico, foram calculados os níveis de energia no ponto G, juntamente com as funções de onda, considerándo-se os átomos de In e Sb neutros.
Depois, verificou-se como as correções relativísticas afetavam os resultados obtidos. Posteriormente, considerando-se aparte iônica da ligação do InSb, recalculou-se os níveis de energia partindo-se de íons de In- e Sb+.
Os resultados obtidos deixam antever a necessidade da introdução da ionicidade no cálculo do potencial cristalino, de correções à forma do potencial muffin-tin, bem como de um cálculo de níveis de energia autoconsistente / Abstract: Not informed. / Mestrado / Física / Mestre em Física

Identiferoai:union.ndltd.org:IBICT/oai:repositorio.unicamp.br:REPOSIP/278571
Date15 July 1975
CreatorsMarotta, Ana Maria Hildsdorf
ContributorsUNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINAS, Parada, Nelson de Jesus, 1939-
Publisher[s.n.], Universidade Estadual de Campinas. Instituto de Física Gleb Wataghin, Programa de Pós-Graduação em Física
Source SetsIBICT Brazilian ETDs
LanguagePortuguese
Detected LanguagePortuguese
Typeinfo:eu-repo/semantics/publishedVersion, info:eu-repo/semantics/masterThesis
Format76 f. : il., application/pdf
Sourcereponame:Repositório Institucional da Unicamp, instname:Universidade Estadual de Campinas, instacron:UNICAMP
Rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess

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