Orientador : Prof. Dr. Oscar da Costa Gouveia Filho / Dissertação (mestrado) - Universidade Federal do Paraná, Setor de Tecnologia, Programa de Pós-Graduação em Engenharia Elétrica. Defesa: Curitiba, 24/08/2016 / Inclui referências : f. 59-61 / Resumo: Neste trabalho, foi desenvolvido um metodo de analise de ruido de fase de osciladores MOS baseado no grau de inversao dos transistores, com o objetivo de demonstrar como o nivel de inversao do transistor influencia o resultado do ruido de fase em um oscilador. Foi apresentado o modelo do transistor MOS baseado no conceito do nivel de inversao de operacao do transistor e o uso deste conceito para definir o ruido termico e o ruido 1/.. do dispositivo. Em relacao ao modelo de ruido de fase utilizado, a teoria esta fundamentada na identificacao da funcao de sensibilidade ao impulso . ISF do oscilador a ser analisado e do ruido estacionario ou ciclo-estacionario gerado pela fonte de ruido do circuito. Neste caso, para ser evidenciada a contribuicao do ruido do transistor MOS no ruido de fase do circuito, foram analisados transistores operando em niveis de inversao moderada e forte. Foi utilizada a topologia de oscilador Colpitts de Sinal de Excursao Melhorada (ESCO), como circuito base para o desenvolvimento de um metodo de analise do ruido de fase. O projeto dos ESCOs foi desde a etapa de calculo e simulacao ate fabricacao e medicao. O desempenho referente ao ruido de fase foi comparado com os resultados calculados pelo modelo proposto, os resultados obtidos por simulacao e os medidos. A partir dos resultados obtidos, foi constatado que osciladores projetados com transistores operando em nivel de inversao maior apresentaram melhor ruido de fase.
Palavras chave: Transistor MOS; Ruido 1/..; Oscilador Colpitts; ISF; Ruido de fase. / Abstract: In this study, a method of oscillator phase noise analysis based on transistor MOS inversion level was developed, in order to demonstrate how the transistor inversion level influences the result of phase noise in an oscillator. It was presented MOS transistor model based on the concept of transistor operation inversion level and use of this concept to define thermal and 1/?? noise of the device. In relation to the used phase noise model, the theory is based on the identification of the oscillator impulse sensitivity function - ISF to be analyzed and the stationary noise or cyclo-stationary generated by circuit noise source. In this case, to be evidenced MOS transistor noise contribution to the phase noise of the circuit, transistors operating at moderate and strong inversion levels were analyzed. It was used Enhanced Swing Colpitts Oscillator (ESCO) topology, as a base circuit to develop a method of analysis of the phase noise. The design of ESCO was from the calculation step and simulation to manufacturing and measurement. The performance related to the phase noise was compared with the results calculated by the proposed model, the results obtained by simulation and measurement. From the results, it was verified oscillators designed with transistors operating at higher inversion level showed better phase noise. Keywords: MOS Transistor; 1/?? Noise; Oscillator Colpitts; ISF; Phase noise.
| Identifer | oai:union.ndltd.org:IBICT/oai:dspace.c3sl.ufpr.br:1884/45357 |
| Date | January 2016 |
| Creators | Lacerda, Polyana Camargo de |
| Contributors | Universidade Federal do Paraná. Setor de Tecnologia. Programa de Pós-Graduação em Engenharia Elétrica, Gouveia Filho, Oscar da Costa |
| Source Sets | IBICT Brazilian ETDs |
| Language | Portuguese |
| Detected Language | Portuguese |
| Type | info:eu-repo/semantics/publishedVersion, info:eu-repo/semantics/masterThesis |
| Format | 61 f. : il. algumas color., grafs., tabs., application/pdf |
| Source | reponame:Repositório Institucional da UFPR, instname:Universidade Federal do Paraná, instacron:UFPR |
| Rights | info:eu-repo/semantics/openAccess |
| Relation | Disponível em formato digital |
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