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Selbstorganisierende Monolagen als Gate-Dielektrika für organische Transistoren

In dieser Arbeit wurde untersucht, wie gut bestimmte aliphatische Verbindungen, die selbstorganisierende Monolagen bilden, als Dielektrikum für organische Transistoren geeignet sind. Die auf Silicium- und Aluminiumoberflächen adsorbierten Verbindungen wurden mittels Ellipsometrie, AFM, STM und XPS charakterisiert, und die Packungsdichte, Ordnung und Oberflächenbelegung der Monolagen ermittelt. Zwischen den experimentellen Ergebnissen und denen von Computersimulationen der räumlichen Anordnung der Moleküle ergab sich eine gute Übereinstimmung. Alle untersuchten Monolagen zeigen keine Fernordnung. Der Grad der Nahordnung hängt von der Wahl der Anker- und Endgruppe ab. Die größte Packungsdichte wurde für die Verbindungen mit Phosphonsäure-Ankergruppe und Methyl-Endgruppe festgestellt. Für Monolagen der Verbindung n-Octadecylphosphonsäure auf Aluminium wurde ein Molekülabstand von 0.35 nm ermittelt. Mit dieser Verbindung als Gate-Dielektrikum wurden funktionsfähige organische Transistoren und integrierte Schaltungen demonstriert.

Identiferoai:union.ndltd.org:DRESDEN/oai:qucosa.de:swb:105-832144
Date20 July 2009
CreatorsZschieschang, Ute
ContributorsTU Bergakademie Freiberg, Chemie und Physik, Prof. Dr. rer. nat. habil. G. Roewer, Prof. Dr. rer. nat. habil. F. Richter, Prof. Dr. rer. nat. habil. G. Roewer, Prof. Dr. rer. nat. habil. F. Richter, Prof. Dr. rer. nat. M. Halik
PublisherTechnische Universitaet Bergakademie Freiberg Universitaetsbibliothek "Georgius Agricola"
Source SetsHochschulschriftenserver (HSSS) der SLUB Dresden
Languagedeu
Detected LanguageGerman
Typedoc-type:doctoralThesis
Formatapplication/pdf

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