Isopolytypic Growth of Nonpolar 4H-AlN on 4H-SiC and Its Device Applications / 4H-SiC無極性面基板上への同一ポリタイプを有する4H-AlN成長とデバイス応用 / 4H-SiC ムキョクセイメン キバンジョウ エ ノ ドウイツ ポリタイプ オ ユウスル 4H-AlN セイチョウ ト デバイス オウヨウ

Description

Kyoto University (京都大学) / 0048 / 新制・課程博士 / 博士(工学) / 甲第14632号 / 工博第3100号 / 新制||工||1461(附属図書館) / 26984 / UT51-2009-D344 / 京都大学大学院工学研究科電子工学専攻 / (主査)教授 木本 恒暢, 教授 野田 進, 教授 川上 養一 / 学位規則第4条第1項該当

Links & Downloads

1. http://hdl.handle.net/2433/81830
2. 000010316358
3. 10.14989/doctor.k14632

Tags

窒化アルミニウム(AlN)

シリコンカーバイド(SiC)

アイソポリタイプ

結晶成長

分子線エピタキシー

500

Additional Fields

Identifer	oai:union.ndltd.org:kyoto-u.ac.jp/oai:repository.kulib.kyoto-u.ac.jp:2433/81830
Date	23 March 2009
Creators	Horita, Masahiro
Contributors	木本, 恒暢, 野田, 進, 川上, 養一, 堀田, 昌宏, ホリタ, マサヒロ
Publisher	京都大学 (Kyoto University), 京都大学
Source Sets	Kyoto University
Language	English
Detected Language	Japanese
Type	DFAM, Thesis or Dissertation
Format	application/pdf