低抵抗n型SiC結晶中に発生するダブルショックレー型積層欠陥に関する研究

Description

京都大学 / 0048 / 新制・課程博士 / 博士(工学) / 甲第21371号 / 工博第4530号 / 新制||工||1705(附属図書館) / 京都大学大学院工学研究科電子工学専攻 / (主査)教授 木本 恒暢, 教授 山田 啓文, 准教授 掛谷 一弘 / 学位規則第4条第1項該当 / Doctor of Philosophy (Engineering) / Kyoto University / DGAM

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1. http://hdl.handle.net/2433/235091
2. 14301甲第21371号
3. 10.14989/doctor.k21371
4. 14301

Tags

SiC結晶

バルク基板

ドーピング

積層欠陥

転位

500

Additional Fields

Identifer	oai:union.ndltd.org:kyoto-u.ac.jp/oai:repository.kulib.kyoto-u.ac.jp:2433/235091
Date	25 September 2018
Creators	徳田, 雄一郎
Contributors	木本, 恒暢, 山田, 啓文, 掛谷, 一弘, Tokuda, Yuichirou, トクダ, ユウイチロウ
Publisher	Kyoto University, 京都大学
Source Sets	Kyoto University
Language	Japanese
Detected Language	Japanese
Type	doctoral thesis, Thesis or Dissertation
Format	application/pdf
Rights	学位規則第9条第2項により要約公開