Einfluss von Legierungselementen auf die Phasenbildung im System Co-Si

Description

Im Rahmen dieser Diplomarbeit erfolgte die Charakterisierung von dünnen Co-Al-Si-Schichten durch elektrische Messungen, RBS, REM, TEM, AES, MOKE sowie temperaturabhängige Messungen des spezifischen elektrischen Widerstandes. Es wurde die Phasenbildung in diesem ternären System und die Beeinträchtigung der Phasenbildung im System Co-Si in Abhängigkeit des Al-Gehaltes betrachtet. Die Co-Al-Schichten wurden duch Magnetronsputtern auf Si(001)-Substraten abgeschieden und im Temperaturbereich von 500°C bis 900°C getempert (30s).

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1. urn:nbn:de:swb:ch1-200600335
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Tags

info:eu-repo/classification/ddc/530

ddc:530

Silicide

Sputtern

Co-Al-Si-Schichten

Elektronenmikroskopie

RBS

spez. el. Widerstand

Additional Fields

Identifer	oai:union.ndltd.org:DRESDEN/oai:qucosa:de:qucosa:18473
Date	28 October 2005
Creators	Händel, Frank
Contributors	Technische Universität Chemnitz
Source Sets	Hochschulschriftenserver (HSSS) der SLUB Dresden
Language	German
Detected Language	German
Type	doc-type:masterThesis, info:eu-repo/semantics/masterThesis, doc-type:Text
Rights	info:eu-repo/semantics/openAccess