Dans les transistors MOS (Métal Oxyde Semiconducteur) fortement submicroniques (<100 nm), l'augmentation de la densité d'intégration des composants s'accompagne d'une dégradation de certaines caractéristiques électriques (effets de canal court), tout particulièrement dans le régime sous le seuil. Parmi les solutions possibles pour atteindre les longueurs de grille de « fin de roadmap », les architectures MOSFET (Transistor à effet de champ de type MOS) à grille multiple sur SOI (Silicium sur Isolant) apparaissent particulièrement séduisantes, surtout en termes de contrôle électrostatique. <br />Grâce au simulateur particulaire MONACO de type Monte Carlo, ce travail commence par analyser la transition apparaissant dans les transistors ultracourts entre un régime de transport diffusif vers un régime de plus en plus balistique. D'après notre étude, les dispositifs ultimes devraient délivrer des courants très proches de la limite balistique.<br />Ensuite, l'optimisation du dimensionnement de tels transistors MOS à grille multiple sur SOI a été étudiée, entre autres pour limiter l'augmentation des impédances parasites. Le meilleur compromis entre comportement sous le seuil acceptable et rapidité est obtenu dans le cas des architectures à double grille.<br />Enfin, une nouvelle version très novatrice du logiciel MONACO développée durant cette thèse est présentée. Par résolution de l'équation de Schrödinger 1D, elle permet la prise en compte des effets de quantification d'énergie qui ont lieu perpendiculairement à la direction du transport de charges 2Dk, c'est à dire selon l'axe des grilles, dans les MOSFET à double grille ultra courts qui sont aussi ultrafins.
| Identifer | oai:union.ndltd.org:CCSD/oai:tel.archives-ouvertes.fr:tel-00011335 |
| Date | 02 December 2005 |
| Creators | Saint-Martin, Jérôme |
| Publisher | Université Paris Sud - Paris XI |
| Source Sets | CCSD theses-EN-ligne, France |
| Language | French |
| Detected Language | French |
| Type | PhD thesis |
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