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Applications de techniques avancées de contrôle des procédés en industrie du semi-conducteur.

Cette thèse porte sur le développement d‘outils de contrôle avancé des procédés appliqués à l'industrie microélectronique. Des analyses statistiques ont mis en évidence la longueur de grille en poly-silicium comme principal responsable des variabilités lot à lot temporelle et spatiale des performances électriques des transistors courts (courants de saturation, de fuite et la tension de seuil). Une nouvelle stratégie de régulation mieux adaptée a été étudiée : le contrôle coopératif qui s'appuie sur un algorithme d'identification récursif. Les performances de plusieurs estimateurs en ligne ont été simulées et comparées. Une régulation de compensation a aussi été développée entre la gravure de la grille et l'implantation des poches permettant de compenser la déviation de la longueur de la grille en ajustant la dose d'implantation des poches. Sa mise en production a permis de réduire la dispersion lot à lot de 40%.

Identiferoai:union.ndltd.org:CCSD/oai:tel.archives-ouvertes.fr:tel-00463241
Date05 October 2009
CreatorsJedidi, Nader
PublisherEcole Nationale Supérieure des Mines de Saint-Etienne
Source SetsCCSD theses-EN-ligne, France
LanguageFrench
Detected LanguageFrench
TypePhD thesis

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