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Crescimento e caracterização de camadas epitaxiais de Pb1-xSnxTe com 0 '< ou =' x'< ou =' 1 por MBE.

Filmes epitaxiais de telureto de chumbo e estanho com a concentração de estanho variando em todo o intervalo de composição de liga foram crescidos pela primeira vez poe epitaxia de feixe molecular (MBE) sobre o plano natural de clivagem do substrato de BaF2(111), utilizando-se fontes sólidas distintas de PbTe e SnTe. A largura a meia altura da varredura w/2q refletida pelos planos (222) das amostras, medida com um difratômetro de raios X de alta resolução, foi aproximadamente 400 segundos de grau para as ligas ternárias, e 150 segundos de grau para os compostos binários. A mobilidade Hall a baixa temperatura foi de 5x105cm2V-1s-1 para o PbTe, e 2x103cm2V-1s-1 para o SnTe, embora a qualidade cristalográfica das amostras fossem semelhantes. Este decréscimo na mobilidade é uma conseqüência do aumento de densidade de buracos, que variou de 2x1017cm-3 para 2x1020cm-3 quando a concentração de estanho mudou de 0 para 100%. Este valor elevado de densidade de portadores, nas amostras com alta concentração de estanho, mostrou uma grande mudança no espectro de transmissão no infravermelho medido entre 77 a 300K, devido ao efeito de Burstein-Moss.

Identiferoai:union.ndltd.org:IBICT/oai:agregador.ibict.br.BDTD_ITA:oai:ita.br:2576
Date00 December 1998
CreatorsPaulo Henrique de Oliveira Rappl
ContributorsIrajá Newton Bandeira
PublisherInstituto Tecnológico de Aeronáutica
Source SetsIBICT Brazilian ETDs
LanguagePortuguese
Detected LanguagePortuguese
Typeinfo:eu-repo/semantics/publishedVersion, info:eu-repo/semantics/doctoralThesis
Formatapplication/pdf
Sourcereponame:Biblioteca Digital de Teses e Dissertações do ITA, instname:Instituto Tecnológico de Aeronáutica, instacron:ITA
Rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess

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