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Previous issue date: 2014 / CAPES - Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior / Neste trabalho, investigamos os efeitos da funcionalização de grupos oxidativos sobre
a estrutura de nanofitas de grafeno zigue-zague e também os efeitos de constrições, onde estes
efeitos foram analisados por meio de transporte eletrônico via campo externo longitudinal.
Nossos cálculos foram parametrizados pelo modelo semi-empírico de Huckel estendido-ETH,
adotando-se o método das funções de Green de não equilíbrio- NEGF. As correntes foram
calculadas via equação de Landauer que usa a função de transmissão da região espalhadora ao
fluxo de elétrons com energia (E) vinda do eletrodo esquerdo. Por meio dessa abordagem, foi
possível analisarmos o comportamento dos portadores de carga em cada um os dispositivos
propostos, bem como, a natureza de tal comportamento. Verificaram-se nas curvas I(V) dois
regimes de transporte: Ôhmico e NDR, verificando máximos de corrente e, também a tensão
de limiar (VTh1<VTh2<VTh3<VTh4) em que ocorre a mudança de regime de transporte para
a nanofita (sem oxidação, alta oxidação, media oxidação e baixa oxidação, respectivamente)
isso sugere estados eletrônicos localizados devido à presença de duas nanoconstrições na
nanofita de grafeno como regiões de confinamentos quânticos e proporcionais a
funcionalização. Observou-se que o poro ao centro da fita criou duas nanoconstrições nas
laterais da fita, permitindo assim o confinamento eletrônico nos dispositivos baseados em
nestas fitas, caracterizando-as como um diodo de tunelamento ressonante-DRT verificado
pela relação pico/vale 7:1. Podemos concluir que nossa proposta de dispositivo está consoante
aos resultados experimentais para nanodispositivos e que suas aplicabilidades não se
restringirão diante dos estados de oxidação, sendo um fator positivo e que contribui para os
aspectos fenomenológicos de transporte eletrônico em grafeno e para a fabricação de
nanodispositivos de baixo custo. / In this work we investigate the effects of oxidative functionalization groups on the
structure of graphene nanoribbons and also the effects of constrictions caused by the
emergence of a nanopore to the tape, where these effects were analyzed by means of electron
transport via longitudinal external field center. Our calculations were parameterized by the
semi-empirical model of the theory of extended Huckel-ETH, adopting the method of Green's
functions of non equilíbrio- NEGF. The currents were calculated through the Landauer
equation that uses the transmission function of the region spreader to the flow of electrons
with energy E coming out of the electrode. By means of this approach, it was possible to
analyze the behavior of charge carriers in each of the proposed devices, as well as the nature
of such behavior. Were found to curves I(V) two transport regimes: Ohmic and NDR,
checking maximum current and also the threshold voltage (VTh1 <VTh2 <VTh3 <VTh4) in
which occurs the regime change of transport for the nanoribbon (without oxidizing, high
oxidation and low average oxidation, respectively) located suggests that due to the presence
of two nanoconstrições in the graphene nanoribbon as regions of quantum confinement and
electronic proportional states at the functionalization. It was observed that the center pore of
the tape has created two nanoconstrições in the sides of the ribbon, thus allowing the
electronic confinement devices based on these ribbons, characterizing it as a resonant
tunneling diode DRT verified by the peak / valley ratio. We can conclude that our proposed
device is according to experimental results for nanodevices and their applicability not be
restricted on the oxidation states, being a positive factor that contributes to the
phenomenological aspects of electronic transport in graphene and fabrication of nanodevices
low cost.
| Identifer | oai:union.ndltd.org:IBICT/oai:repositorio.ufpa.br:2011/6288 |
| Date | 14 November 2014 |
| Creators | SOUSA, Mario Edson Santos de |
| Contributors | DEL NERO, Jordan, REIS, Marcos Allan Leite dos |
| Publisher | Universidade Federal do Pará, Programa de Pós-Graduação em Engenharia Elétrica, UFPA, Brasil, Instituto de Tecnologia |
| Source Sets | IBICT Brazilian ETDs |
| Language | Portuguese |
| Detected Language | Portuguese |
| Type | info:eu-repo/semantics/publishedVersion, info:eu-repo/semantics/masterThesis |
| Source | reponame:Repositório Institucional da UFPA, instname:Universidade Federal do Pará, instacron:UFPA |
| Rights | info:eu-repo/semantics/openAccess |
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