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Determinação de parametros cineticos e caracterização eletrica de filmes de SiO2 produzidos por oxidação termica pirogenica do Si

Orientador: Carlos Ignacio Zamitti Mammana / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia de Campinas / Made available in DSpace on 2018-07-17T04:48:56Z (GMT). No. of bitstreams: 1
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Previous issue date: 1982 / Resumo: Neste trabalho são apresentados os resultados de investigações acerca de características de filmes finos de SiO2 produzidos por oxidação térmica pirogênica do Si. Utilizaram-se de substratos de silício, tipo N, orientação <100>, com resistividade na faixa de 4 a 6O .cm. Foram obtidos dados de espessura de óxido x tempo de oxidação (a temperaturas de 950ºC, 1050ºC e 1150ºC); parâmetros cinéticos da oxidação e respectivas energias de ativação; densidade de cargas fixas no óxido; densidade e cargas móveis no óxido; densidade de cargas capturadas na interface SiO2 - Si; campo de ruptura do óxido e parâmetros de geração-recombinações de portadores no semicondutor. Os resultados obtidos, à exceção dos valores determinados para os parâmetros de geração-recombinação, correspondem aos resultados na literatura para filmes de SiO2 térmico de boa qualidade. / Abstract: Not informed. / Mestrado / Mestre em Engenharia Elétrica

Identiferoai:union.ndltd.org:IBICT/oai:repositorio.unicamp.br:REPOSIP/258801
Date17 July 2018
CreatorsCosta, Jose Camargo da
ContributorsUNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINAS, Mammana, Carlos Ignacio Zamitti, 1941-
Publisher[s.n.], Universidade Estadual de Campinas. Faculdade de Engenharia de Campinas, Programa de Pós-Graduação em Engenharia Elétrica
Source SetsIBICT Brazilian ETDs
LanguagePortuguese
Detected LanguagePortuguese
Typeinfo:eu-repo/semantics/publishedVersion, info:eu-repo/semantics/masterThesis
Format1v.(varias paginações). : il., application/pdf
Sourcereponame:Repositório Institucional da Unicamp, instname:Universidade Estadual de Campinas, instacron:UNICAMP
Rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess

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