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Estudo de lasers semicondutores acoplados a cavidades externas para aplicação em sistemas de alta velocidade

Orientadores: Rui F. de Souza, Edson Moschim / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica / Made available in DSpace on 2018-07-17T08:14:12Z (GMT). No. of bitstreams: 1
BarrosJunior_LuizEugenioMonteiro_M.pdf: 2721519 bytes, checksum: 3084979701ac2e857867c260b9fe7ae7 (MD5)
Previous issue date: 1992 / Resumo: Este trabalho apresenta um estudo sobre os diodos laser a semicondutor acoplados a urna cavidade externa e sua aplicação a sistemas de comunicação digital de alta velocidade. Primeiramente, é feita urna análise estática do conjunto laser a semicondutor acoplado a urna cavidade externa passiva onde discute-se regimes e pontos de operação. Neste sentido, estuda-se a influência da cavidade externa na freqüência de ressonância e na densidade de portadores necessária para oscilação, bem corno no número de modos presentes. Posteriormente, faz-se urna análise dinâmica baseada no desenvolvimento e na solução numérica das equações de taxa que regem o funcionamento do sistema laser+cavidade externa. Finalmente, faz-se urna avaliação do desempenho desta fonte óptica sob modulação direta quando inseri da num sistema de comunicação digital com taxas de transmissão de até 5 Gbit/s / Abstract: This work deals with semiconductor laser diodes coupled to an external cavity and its application to high velocity digital communication systems. Initially, a static analysis is performed for the semiconductor laser coupled to an external cavity, including mode and point of operation. In this sense, the influence of the external cavity on the resonance frequency and on the carrier density required for oscillation, as well as the number of modes involved, is investigated. Later, a dynamic analysis is presented based on the development and numerical solution of the rate equations that govern the operation of the assemble laser plus external cavity. Finally, an evaluation of the performance of this optical source under direct modulation is presented for a digital communication system operating at transmission rates up to 5 Gbit/s / Mestrado / Mestre em Engenharia Elétrica

Identiferoai:union.ndltd.org:IBICT/oai:repositorio.unicamp.br:REPOSIP/261614
Date31 July 1992
CreatorsBarros Junior, Luiz Eugenio Monteiro
ContributorsUNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINAS, Moschim, Edson, 1953-, Souza, Rui Fragassi, 1946-, Souza, Rui F. de
Publisher[s.n.], Universidade Estadual de Campinas. Faculdade de Engenharia Elétrica, Programa de Pós-Graduação em Engenharia Elétrica
Source SetsIBICT Brazilian ETDs
LanguagePortuguese
Detected LanguagePortuguese
Typeinfo:eu-repo/semantics/publishedVersion, info:eu-repo/semantics/masterThesis
Format[109]f. : il., application/pdf
Sourcereponame:Repositório Institucional da Unicamp, instname:Universidade Estadual de Campinas, instacron:UNICAMP
Rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess
Relation(Publicação FEE)

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