Tecnologia MOS canal N com porta de SnO2

Description

Orientadora : Alaide Pellegrini Mammana / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia de Campinas / Made available in DSpace on 2018-07-14T15:39:57Z (GMT). No. of bitstreams: 1
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Previous issue date: 1983 / Resumo: Este trabalho define uma tecnologia para a fabricação de dispositivos MOS canal N e de porta de SnO2. Foi desenvolvida uma seqüência de processamento para as condições de nosso laboratório.....Observação: O resumo, na íntegra, poderá ser visualizado no texto completo da tese digital / Abstract: Not informed / Mestrado / Doutor em Engenharia Elétrica

Links & Downloads

1. BRAGA, Edmundo da Silva. Tecnologia MOS canal N com porta de SnO2. 1983. 191f. Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia de Campinas, Campinas, SP. Disponível em: <http://www.repositorio.unicamp.br/handle/REPOSIP/261884>. Acesso em: 14 jul. 2018.
2. http://repositorio.unicamp.br/jspui/handle/REPOSIP/261884

Tags

Transistores bipolares

Semicondutores

Microeletrônica

Additional Fields

Identifer	oai:union.ndltd.org:IBICT/oai:repositorio.unicamp.br:REPOSIP/261884
Date	14 July 2018
Creators	Braga, Edmundo da Silva, 1945-
Contributors	UNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINAS, Mammana, Alaide Pellegrini, 1941-
Publisher	[s.n.], Universidade Estadual de Campinas. Faculdade de Engenharia de Campinas, Programa de Pós-Graduação em Engenharia Elétrica
Source Sets	IBICT Brazilian ETDs
Language	Portuguese
Detected Language	Portuguese
Type	info:eu-repo/semantics/publishedVersion, info:eu-repo/semantics/masterThesis
Format	191f. : il., application/pdf
Source	reponame:Repositório Institucional da Unicamp, instname:Universidade Estadual de Campinas, instacron:UNICAMP
Rights	info:eu-repo/semantics/openAccess
Relation	(Publicação FEC)