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Cálculo de corrente limiar em lasers semicondutores de diversas estruturas

Orientador: Francisco Carlos de Prince / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-16T17:36:24Z (GMT). No. of bitstreams: 1
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Previous issue date: 1988 / Resumo: São feitos estudos de simulação de lasers semicondutores visando a obtenção do valor corrente limiar em função das dimensões do dispositivo, para o caso de lasers de InP / InGaAsP emitindo em 1,3 mm.
Os tipos de estruturas estudadas são a heteroestrutura de confinamento separado, a heteroestrutura enterrada, e após a obtenção da expressão para o ganho óptico no caso do poço-quântico, são estudadas as características de lasers de heteroestrutura de confinamento separado de poço-quântico / Abstract: Not informed. / Mestrado / Física / Mestre em Física

Identiferoai:union.ndltd.org:IBICT/oai:repositorio.unicamp.br:REPOSIP/277780
Date04 January 1989
CreatorsWeinketz, Sieghard
ContributorsUNIVERSIDADE ESTADUAL DE CAMPINAS, Prince, Francisco Carlos de, 1954-
Publisher[s.n.], Universidade Estadual de Campinas. Instituto de Física Gleb Wataghin, Programa de Pós-Graduação em Física
Source SetsIBICT Brazilian ETDs
LanguagePortuguese
Detected LanguagePortuguese
Typeinfo:eu-repo/semantics/publishedVersion, info:eu-repo/semantics/masterThesis
Format68f. : il., application/pdf
Sourcereponame:Repositório Institucional da Unicamp, instname:Universidade Estadual de Campinas, instacron:UNICAMP
Rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess

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