Submitted by Silvana Teresinha Dornelles Studzinski (sstudzinski) on 2016-08-04T14:39:04Z
No. of bitstreams: 1
João Pedro Gonçalves Trevizan_.pdf: 2398963 bytes, checksum: 7bbf859367acdb155c3b917d8275c41d (MD5) / Made available in DSpace on 2016-08-04T14:39:04Z (GMT). No. of bitstreams: 1
João Pedro Gonçalves Trevizan_.pdf: 2398963 bytes, checksum: 7bbf859367acdb155c3b917d8275c41d (MD5)
Previous issue date: 2016-06-15 / itt Chip - Instituto Tecnológico de Semicondutores da Unisinos / PADIS - Programa Federal de Apoio a Indústria de Semicondutores / Este estudo avalia uma proposta de substituição de fio de ouro por fio de cobre no processo de wire bonding em memórias DRAM DDR3 encapsuladas no Brasil. A viabilidade técnica da aplicação desta tecnologia para este componente foi testada na prática em uma empresa coreana, com a produção de amostras e verificação das características de qualidade das mesmas. Após otimização de parametros da primeira solda por DOE, foi possível obter resultados dentro das especificações do processo e semelhantes aos obtidos com o fio de ouro. Após a confirmação da viabilidade técnica, foi verificado a viabilidade econômica deste projeto, calculando o custo de implementação e estimando o tempo para retorno do investimento através dos métodos de payback simples e descontado. Devido à necessidade de aquisição de máquinas soldadoras de custo elevado, o payback descontado resultou em seis anos e onze meses, o que representa um risco alto considerando o dinamismo do mercado de semicondutores e a eminente substituição do encapsulamento BOC pela tecnologia de flip chip / This study evaluates the proposal of gold wire for copper wire replacement in the wire bonding process used in DRAM DDR3 memory packaging in Brazil. The technical feasibility of applying this technology to the component has been verifyed in practice on a Korean company, with the production of samples and the examination of quality characteristics, such as bond pull force and bond shear strenght, intermetallic compound and bonding pad structure. After parameters optimization of the first bond by DOE, it was possible to obtain results within process specifications and similar to those obtained with the gold wire. After confirming the technical feasibility, the economic viability of this project was verified by calculating the cost of implementation and the necessary time to recover the investment, through the simple and discounted payback methods. Because of the need of purchasing costly wire bonding machines, the discounted payback resulted in six years and eleven months, which represents a high risk investment, considering the semiconductor market dynamism and the imminent replacement of BOC package by flip chip technology.
| Identifer | oai:union.ndltd.org:IBICT/oai:www.repositorio.jesuita.org.br:UNISINOS/5523 |
| Date | 15 June 2016 |
| Creators | Trevizan, João Pedro Gonçalves |
| Contributors | http://lattes.cnpq.br/3054875168089226, Rocha, Tatiana Louise Avila de Campos, Santos, José Vicente Canto dos |
| Publisher | Universidade do Vale do Rio dos Sinos, Programa de Pós-Graduação em Engenharia Elétrica, Unisinos, Brasil, Escola Politécnica |
| Source Sets | IBICT Brazilian ETDs |
| Language | Portuguese |
| Detected Language | Portuguese |
| Type | info:eu-repo/semantics/publishedVersion, info:eu-repo/semantics/masterThesis |
| Source | reponame:Repositório Institucional da UNISINOS, instname:Universidade do Vale do Rio dos Sinos, instacron:UNISINOS |
| Rights | info:eu-repo/semantics/openAccess |
Page generated in 0.002 seconds