Extraction des paramètres intrinsèques des transistors à effet de champ tenant compte des phénomènes de propagation

Description

Reproduction de : Thèse doctorat : Electronique : Cergy-Pontoise : 2005. / Titre provenant de l'écran titre. Bibliogr. p.121-129.

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1. http://biblioweb.u-cergy.fr/theses/05CERG0259.pdf

Tags

Transistors à effet de champ

Additional Fields

Identifer	oai:union.ndltd.org:OCLC/oai:xtcat.oclc.org:OCLCNo/494864498
Date	January 2008
Creators	Balti, Moez Pasquet, Daniel.
Publisher	[s.l.] : [s.n.],
Source Sets	OCLC
Language	French
Detected Language	French