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La relación intrínseca entre la descripción del ancho de banda y las propiedades térmicas en semiconductores : el caso del a- Si:H E In2O3

En la literatura los análisis ópticos y térmicos presentan una desconexión, a pesar de tener un
gran ámbito en común desde el punto de vista teórico. La evolución del ancho de banda respecto
de la temperatura es un factor muy importante al momento de determinar dicha conexión, ya
que, a través de la interacción electrón-fonón se puede derivar la temperatura de Debye que es
el nexo entre el ancho de banda óptico y los efectos térmicos. Tal es así que aquí se presentan
diferentes teorías, como son las propuestas por Ullrich, O’leary, Jackson, Guerra, y Zanatta para
estudiar la absorción en semiconductores, y sus versiones extendidas: Tauc-Lorentz, O’leary-
Lorentz o Guerra-Lorentz. Para los efectos térmicos se exploran ajustes que provienen de la
interacción de los fonones como son los de los modelos de Varshni, Pässler o Bose-Einstein que
describen el comportamiento del ancho de banda óptico con la temperatura del material. Este
nexo entre los efectos ópticos y térmicos es aplicado después en los materiales semiconductores
como el a-Si:H e In2O3, que son, entre otros, importantes para el desarrollo de tecnologías
fotovoltaicas como celdas solares o transistores (ITO). Finalmente probamos que los resultados
ópticos y térmicos guardan una buena concordancia, que da lugar a nuevos tipos de
acercamientos experimentales a ambas propiedades.

Identiferoai:union.ndltd.org:PUCP/oai:tesis.pucp.edu.pe:20.500.12404/22735
Date05 July 2022
CreatorsVentura Ponce, Enrique Eduardo
ContributorsGuerra Torres, Jorge Andres
PublisherPontificia Universidad Católica del Perú, PE
Source SetsPontificia Universidad Católica del Perú
LanguageSpanish
Detected LanguageSpanish
Typeinfo:eu-repo/semantics/masterThesis
Formatapplication/pdf
Rightsinfo:eu-repo/semantics/openAccess, Atribución-NoComercial-SinDerivadas 2.5 Perú, http://creativecommons.org/licenses/by-nc-nd/2.5/pe/

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