GaN およびAlNの励起子変形ポテンシャルの同定と(Al,Ga)N系歪量子構造の物性予測

Description

Kyoto University (京都大学) / 0048 / 新制・課程博士 / 博士(工学) / 甲第17574号 / 工博第3733号 / 新制||工||1569(附属図書館) / 30340 / 京都大学大学院工学研究科電子工学専攻 / (主査)教授 川上 養一, 教授 野田 進, 准教授 須田 淳 / 学位規則第4条第1項該当

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1. http://hdl.handle.net/2433/174940
2. 10.14989/doctor.k17574

Tags

窒化物半導体

励起子

変形ポテンシャル

GaN

AlN

500

Additional Fields

Identifer	oai:union.ndltd.org:kyoto-u.ac.jp/oai:repository.kulib.kyoto-u.ac.jp:2433/174940
Date	25 March 2013
Creators	石井, 良太
Contributors	川上, 養一, 野田, 進, 須田, 淳, Ishii, Ryota, イシイ, リョウタ
Publisher	京都大学 (Kyoto University), Kyoto University
Source Sets	Kyoto University
Language	Japanese
Detected Language	Japanese
Type	DFAM, Thesis or Dissertation
Format	application/pdf
Rights	許諾条件により要旨・本文は2014-03-25に公開