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[en] DESIGN OF LOW POWER ANALOG CMOS CELLS FROM TRANSISTORS BIAS IN WEAK INVERSION / [pt] PROJETO DE CÉLULAS CMOS ANALÓGICAS DE BAIXO CONSUMO A PARTIR DE TRANSISTORES OPERANDO EM INVERSÃO FRACA

FABIO DE ALMEIDA SALAZAR 28 June 2006 (has links)
[pt] A indústria eletrônica tem apresentado uma demanda crescente pela fabricação de aparelhos onde o baixo consumo de energia é uma das características mais importantes. Como exemplo, temos os telefones celulares, os computadores pessoais portáteis e os implantes biomédicos. Este trabalho investiga o projeto e o layout de células analógicas de consumo mil vezes menos (micropower) que os circuitos convencionais. As células desenvolvidas tanto podem ser usadas em aplicações analógicas quanto em circuitos híbridos formados por blocos digitais e blocos analógicos em um mesmo circuito integrado (mixed-mode). O trabalho desenvolvido envolveu 7 etapas principais: o estudo da operação do transistor MOS polarizado na região de inversão fraca comparado com a região de inversão forte; o estudo de estruturas básicas com dois transitores operando na inversão fraca; a conversão dos parâmetros de fabricante para a simulação das células; estudo de células analógicas a e seu projeto para baixo consumo; simulação das células e comparação com células comerciais; estudo da variação dos parâmetros de fabricação; estudo de técnicas de layout para células analógicas. Inicialmente o trabalho apresenta um resumo do estado da arte em projetos de circuitos integrados analógicos CMOS e, introduz o conceito da operação do transistor MOS em inversão fraca (weak inversion). O estudo de estruturas básicas, tais como espelhos de corrente, é o passo seguinte para a compreensão das limitações da operação dos transistores na fraca inversão e a análise de suas vantagens e desvantagens. A conversão dos parâmetros de processos fornecido pelo fabricante, do SPICE nível 2 para o SMASH nível 5, é um passo importante para uma simulação mais fiel do transistor real operando na região de inversão fraca, usando o novo modelo EKV (desenvolvido pela Escola Politécnica Federal de Lausanne - EPFL). O desenvolvimento dos blocos funcionais analógicas, tais como amplificadores operacionais, tece como estratégia de trabalho partir de especificações de células existentes em bibliotecas de fabricantes comerciais com tecnologia reconhecida sobre o assunto, e tentar reproduzir as suas características através do projeto de células dedicadas. Foram avaliadas algumas topologias de uma mesma célula com o objetivo de realizar a comparação entre elas. As medidas de desempenho das células para a comparação com as comerciais, foram realizadas com o uso de arquivos hierárquicos de simulação, visando a redução da quantidade de arquivos. Foi realizado um estudo de como a variação do processo de fabricação pode afetar o desempenho das células projetadas por análise de Montecarlo. São mostradas técnicas de layout de células analógicas que visam reduzir o descasamento entre transistores, faro este que poderia levar o circuito a apresentar comportamento diferente daquele especificado inicialmente. Os resultados alcançados demonstraram ser possível o desenvolvimento de células analógicas de baixo consumo. Através do uso da técnica de operação do transistor na região de inversão fraca, obteve-se desempenho comparável aos circuitos comerciais, tornando possível a criação de uma biblioteca de células analógicas mais ampla sem a necessidade da dependência do know-how dos fabricantes comerciais. / [en] Low power supply consumption hás become one of the main issue in eletronic industry for many product áreas such as cellular telephones, portable personal computers and biomedical implants. The aim of this work is to investigate the main drawbacks involved in the design of CMOS analog cells biased in weak inversion. Biasing a cell in weak inversion makes it possible to archieve a power consumption that is one thousandth lower than common analog cells designed to operate in strong inversion. This work has involved the following subject: a study of models for MOS transistors operating in weak inversion and strong inversion regions; a methodology to convert LEVEL 2 Spice model to EKV model; study of basic analog cell blocks suitable to low power mixed mode IC design; design methodology for low power analog cells; comparison between these cells and some commercial ones; study of analog layout techniques. Firstly, this work reviews the state-of-art of analog cell design including MOS transistor operation and modeling in the weak inversion region. Secondly we discuss the operation of some basic structures, such as current mirors and differential amplifiers, biased in weak inversion. This study helped us to understand the benefits and drawbacks involved in working with MOS transistors biased in this region. Next we describe a methodology to convert process parameters suppied by the foundries, usually LEVEL 2 Spice model, to the EKV model that was developed by EPFL (Swiss Federal Institute of Technology - Lausanne). Since EKV model is continuous in all regions, we expect to archieve better agreement between simulation results and manufacturing results. In order to test and validate the design methodology we chose to develop first a set of cells for this foundry comforming to a foundry with expertise in low voltage analog cell design. These tests were carried ou through standardized hierarchical simulation files in order to decrease the total number of simulatiom files required. Finally, we present some techniques for the layout of analog cells that improve circuit sensibility to transistor mismatching and process variation. The work shows us that it is feasible to design low power analog circuit using MOS transistors operating in weak inversion region. The methodology was even able to synthesize cells that are similar in performance to commercial ones. Therefore, it is possible to develop a çow power analog cell library which is suitable to designing application specific integrated circuits.

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