[pt] Dicalcogenetos de metais de transição, como dissulfeto de molibdênio, disseleneto de tungstênio, entre outros exibem muitas propriedades interessantes que fazem os materiais desta família boas perspectivas para aplicações futuras, especialmente em diversas applicações da optoeletrônica, desde telecomunicações até medicina, devido à interessante transição de gap de banda indireta para direta que ocorre quando se isola uma única camada destes materiais. Um dos objetivos desta tese é: explorando essa propriedade e modificando a estrutura da dissulfeto de tungstênio usando um método simples e confiável de modificação estrutural, pode-se aprimorar as propriedades dos materiais de forma eficiente, bem como desenvolver novas maneiras de caracterizar esse material e suas modificações, em particular, a determinação de um parâmetro chave para aplicações de WS2, o número de camadas, usando espectroscopia Raman. Neste caso, o tratamento de plasma melhorou a intensidade de fotoemissão em 34 por cento além de p-dopar os cristais monocamada, abrindo portas para a realização de dispositivos baseados em WS2. Além disso, desenvolvemos um método de discriminação de monocamadas que é independente de tensão aplicada, modificação strutural ou dopagem. / [en] Transition metal dichalcogenides, such as molybdenum disulfide, tungsten disulfide, and others exhibit many interesting properties. Such properties make them good prospects for future applications, especially in optoelectronics. From telecommunication to medicine, due to the interesting indirect-to-direct band-gap transition, one isolates a single layer of the material. One of the goals of this thesis is to modify the structure of tungsten disulfide using a simple, reliable, structural modification approach, i.e., plasma treatment. In this way, we were able to enhance the materials luminescence emission intensity up to 34 percent. Also, this treatment pdoped the monolayer structures, opening doors for the realization of devices. Another objective of this work is to develop new ways to characterize this material, particularly the determination of a critical parameter for WS2 applications, the number of layers, using Raman spectroscopy, where we developed a efficient method to discriminate monolayers independently of induced strain, structure modification and doping.