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[en] HIGH SPEED SEMICONDUCTOR AND FR-4 INTEGRATED WAVEGUIDE / [pt] INTEGRAÇÃO DE CIRCUITOS DE ALTAS VELOCIDADES POR MEIO DE GUIA DE ONDA SEMICONDUTORES E SUBSTRATOS FR-4VANESSA PRZYBYLSKI RIBEIRO MAGRI 28 June 2013 (has links)
[pt] Este trabalho de Tese apresenta a pesquisa e desenvolvimento de
conexões de ondas guiadas sobre substratos semicondutores (SiGe, GaAs). A
integração de circuitos digitais através de guias S-SIWG (Semiconductor
Substrate Integrated Waveguide) utilizando formato de modulação QAM é
avaliada e destacada. Conexões internas aos chips e entre chips são associadas
com o novo padrão Gigabit Ethernet 802.3ba operando na taxa de 100 Gbit/s
estendendo-se a aplicações de 0,5 – 1,5 Terahertz. É também apresentada a
pesquisa e o desenvolvimento de guias e dispositivos de microondas utilizando
substratos de baixo custo e altas perdas (FR-4), substratos cerâmicos de alta
constante dielétrica (Er igual a 80) e aplicações em subsistemas híbridos integrados. / [en] This work presents the research, design and development of guided waves
connections in semiconductor substrates (SiGe, GaAs). The integration of digital
systems using Semiconductor Wave Guides (S-SIWG) with QAM modulation
formats are highlighted. Ultra-fast inter-chip and inner-chip connections are
associated with the new Gigabit Ethernet IEEE 802.3ba standard at 100Gbit/s
extended to (0.5-1.5) Terahertz domain. Additionally fiber glass substrates with
high losses (Teflon/FR-4) and high dielectric ceramic substrates (Er equal 80) are
also developed to be integrated with microwave devices, analog printed circuits
boards and high Speed digital circuits and systems.
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