L'échantillonneur-bloqueur est un dispositif central des systèmes de conversion analogique-numérique. Son utilisation dans des domaines d'applications sensibles comme le domaine biomédical place des exigences élevées sur la performance de l'échantillonneur. Les distorsions d'injection de charges, d'erreur d'échantillonnage et celle due aux variations de la constante de temps sont trois sources de non-linéarité qu'il est primordial d'évaluer pendant la conception. La modélisation analytique est l'une des méthodes employées afin d'estimer la distorsion du dispositif d'échantillonnage. Cependant, les méthodes analytiques courantes sont complexes ou ne tiennent pas compte des capacités parasites du commutateur analogique. La conception par la mise en oeuvre de procédures de caractérisation de la distorsion à l'aide de simulateurs analogiques de la famille SPICE donne une bonne estimation de la distorsion mais aboutit à des cycles de conception longs et fastidieux. Dans ce document, nous proposons deux méthodes d'évaluation de la distorsion de l'échantillonneur-bloqueur. Dans un premier temps, nous présenterons un nouveau modèle analytique simple de la distorsion. Notre modèle met en oeuvre l'approximation en série de Taylor afin de caractériser complètement les trois sources de distorsion de l'échantillonneur-bloqueur, incluant l'effet de substrat et les capacités parasites du commutateur analogique. Une autre contribution dans ce mémoire est de proposer un logiciel de simulation comportementale d'aide à la conception des échantillonneurs-bloqueurs dans le procédé MOS submicronique 0.18 µm. Ce logiciel permet de réduire le cycle de conception et d'évaluer efficacement la distorsion de l'échantillonneur-bloqueur. Afin d'atteindre cet objectif, nous avons intégré le modèle BSIM3 du transistor au logiciel que nous avons développé en langage Java. Nous verrons avec des exemples d'application comment les paramètres de chacune des sources de distorsion agissent sur la gamme dynamique de l'échantillonneur-bloqueur par les méthodes que nous proposons. ______________________________________________________________________________ MOTS-CLÉS DE L’AUTEUR : Échantillonneur-blogueur, Distorsion, CMOS, Modélisation comportementale.

Ce travail de thèse concerne les circuits ultra-rapides pour la conversion analogique numérique performante en technologie bipolaire à hétérojonctions sur substrat Indium Phosphore (TBDH/InP). L'étude s'intéresse à la fonction principale qui est l'échantillonnage blocage. Elle a été menée par simulation de l'ensemble des blocs composant cette fonction. En particulier une étude extensive des cœurs des circuits Echantillonneurs/Bloqueurs a été effectuée pour différents paramètres électriques pour aboutir à des valeurs optimales réalisant un compromis entre la bande passante la résolution et la linéarité.Des architectures de circuits Echantillonneurs/Bloqueurs (E/B) avec ou sans l'étage d'amplification à gain variable ont été conçues, optimisées, réalisées et caractérisées et des performances à l'état de l'art ont été obtenues : des circuits E/B de bande passante supérieure à 50 GHz et cadencées à 70 Gs/s ont été réalisés pour les applications de communications optiques et des circuits de bande passante supérieure à 16 GHz cadencés à (2-8) Gs/s ont été réalisés pour la transposition de fréquence. / This thesis concerns the design of high speed circuits in Indium phosphide heterojunction Bipolar technology for High performance analog to digital conversion (ADC).The study focuses on the Track and Hold block (THA) which is the main function of the ADC. The study was conducted by simulating all blocks of the THA circuit. In particular, an extensive study of the THA main block was performed for various electrical parameters to achieve optimal conditions in order to obtain a good tradeoff between resolution bandwidth and linearity. THA architectures circuits with or without Voltage Gain Amplifier stage were designed, optimized and characterized. High THA performances were achieved: THA circuit with a bandwidth greater than 50 GHz at 70 Gs/s were achieved for optical communications and circuits of bandwidth more than16 GHz at (2-8 GS /s) have been realized for down conversion operation.