Orientador: Sergio Moehlecke / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-14T02:53:33Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Andrade_MarcioCalixtode_M.pdf: 6742037 bytes, checksum: 8c01808a57702311c1ef16a5d27ea459 (MD5) Previous issue date: 1987 / Resumo: Filmes finos de óxido de índio estanho (ITO) foram crescidos utilizando o método de 'sputtering R.F.¿ reativo. As propriedades ópticas e elétricas destes filmes mostraram-se fortemente dependentes da pressão parcial de oxigênio durante a deposição. Do estudo dessa dependência e também, das condições de crescimento dos filmes, obtivemos um novo material e processo para aplicação como memória óptica. O processo de gravação baseia-se na mudança local (provocada pela luz de um 'laser') do índice de refração do material (opaco ® transparente) sem a sua destruição. Como resultado foi obtido um material sensível a laser de semicondutor de baixas potências, uma alta razão sinal/ruído de leitura e estabilidade das marcas de gravação. Este material possui características equivalentes aos outros existentes na literatura, com as vantagens que um processo não destrutivo proporciona / Abstract: Indium tin oxide (ITO) thin films have been prepared by reactive r.f. sputtering. The optical and electrical properties of these films showed strong dependence with the oxygen partial pressure during deposition. From the study of this dependence and of films growth conditions, we obtained a new material and process for application as optical recording. The recording process Is based on the local change (caused by a laser light) of the refractive index of the material (opaque transparent) without Its destruction. As a result we have obtained a sensitive material to low power semiconductor lasers, a high signal noise ratio of reading and a good environmental stability. This material posses the same characteristics as the ones related in literature, with the advantage of the a non destructive process / Mestrado / Física / Mestre em Física

Orientador: Jose Inacio Cotrim Vasconcellos / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica "Gleb Wataghin" / Made available in DSpace on 2018-07-14T03:27:14Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Bonolo_OswaldoBorges_M.pdf: 1240322 bytes, checksum: f6481d8f68ae8eb1119eb6aa1a1f3905 (MD5) Previous issue date: 1981 / Resumo: Um modelo analítico para calcular, a partir de primeiros princípios, o espectro ótico de absorção de dois fótons, livre do efeito Doppler, de um sistema gasoso à dois níveis de energia é proposto e analizado. O nosso estudo estabelece inicialmente a distinção entre absorção à dois passos e absorção simultânea de dois fótons. Os processos homogêneos de relaxação(emissão espontânea, colisões fortes, .. etc) são introduzidos fenomenologicamente. Introduz-se a seguir o processo de alargamento inhomogêneo devido ao movimento térmico das moléculas do gás, definindo-se as condições para obtenção de um espectro livre do efeito Doppler. A análise do modelo nos leva à consideração de vários casos particulares de interesse: ora consideramos as amplitudes dos feixes iguais, ora diferentes; e quanto às suas frequêqcias são considerados os casos: a) frequências iguais; b) frequências diferentes; c) frequências muito diferentes. Procurou-se em todos os casos explorar, do ponto de vista análítico, os particulares modelos apresentados, com o objetivo de encontrarmos expressões analíticas precisas para as curvas de absorção correspondentes, visando possíveis extensões do modelo / Abstract: An analytical model is proposed to calculate the two-photon Doppler-Free absorption spectra of gas (or vapor systems). The gas system is considered as a two-level energy system. Our study starts considering the difference between two-photon absorption and two-steps processes. The homogeneous relaxation processes ( spontaneous emission, hard collisions, etc ) are introduced phenomenologically. The inhomogenous ,broadening mechanism due to the thermal motion of the molecules are introduced next. We define clearly the conditions for a two-photon Doppler - Free optical spectrum. Our analysis consider several cases: a) the laser frequencies are taken to be equal; b) the laser frequcncies are taken to be different; c) the laser frequencies are considered to be far apart. The cases of equal amplitudes and different amplitudes of the laser beams are also considered. Our aim is to derive analytical expressions for the two-photon absorption curves and analyse them, from the mathemdtical point of view, defining clearly our assumptions for each case. This can be considered a valuable starting point for future numerical applications and possible anlytical extensions of thc model here presented. / Mestrado / Física / Mestre em Física

Orientador: Aldario Chrestani Bordonalli / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e de Computação / Made available in DSpace on 2018-08-12T14:34:08Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Benitez_JefersonLuiz_M.pdf: 1285150 bytes, checksum: f415e987beef32dcbeef939567c5c29c (MD5) Previous issue date: 2008 / Resumo: As propriedades do ganho cruzado em amplificadores ópticos semicondutores visando a geração de sinais de RF é investigada experimentalmente neste trabalho. Observou-se que a utilização de amplificadores ópticos altamente saturados e realimentados opticamente pode ter desempenho similar ao caso de vários amplificadores em cascata nas aplicações de geração de sinais de RF, oferecendo um ganho acima de 10 dB para duas portadoras ópticas moduladas e separadas de 8 nm. A saturação altera o mecanismo de ganho do amplificador, produzindo um efeito de mistura entre as componentes de modulação dos sinais ópticos. Para portadoras ópticas moduladas em 250 MHz e 400 MHz, produziu-se, após a fotodetecção, componentes eletrônicas com freqüências de batimento de 150 e 650 MHz. / Abstract: The gain-crossed properties of semiconductor optical amplifiers are experimentally investigated here. It was observed that optically feed-backed saturated amplifiers could achieve similar performance as that of cascaded amplifiers, offering up to 10 dB gain to two 8-nm-appart modulated optical carriers. Due to saturation the amplifier gain mechanism is altered leading to a mixing effect that causes the frequency components of the optical signals to be exchanged. For optical carriers modulated at 250 MHz and 400 MHz, this mixing effect produced, after photodetection, up and down-converted electronic components at 650 and 150 MHz, respectively. / Mestrado / Telecomunicações e Telemática / Mestre em Engenharia Elétrica