• Refine Query
  • Source
  • Publication year
  • to
  • Language
  • 1
  • 1
  • Tagged with
  • 2
  • 2
  • 2
  • 2
  • 1
  • 1
  • 1
  • 1
  • 1
  • 1
  • 1
  • 1
  • 1
  • 1
  • 1
  • About
  • The Global ETD Search service is a free service for researchers to find electronic theses and dissertations. This service is provided by the Networked Digital Library of Theses and Dissertations.
    Our metadata is collected from universities around the world. If you manage a university/consortium/country archive and want to be added, details can be found on the NDLTD website.
1

Semiconducting and insulating oxides applied to electronic devices / Semicondutores e isolantes óxidos aplicados à dispositivos eletrônicos

Boratto, Miguel Henrique 09 February 2018 (has links)
Submitted by Miguel Henrique Boratto null (miguelhboratto@gmail.com) on 2018-03-24T19:01:03Z No. of bitstreams: 1 M H Boratto - Tese doutorado.pdf: 5163282 bytes, checksum: 63d587fd9642d9da4a7eb0173248c3e9 (MD5) / Approved for entry into archive by Maria Marlene Zaniboni null (zaniboni@bauru.unesp.br) on 2018-03-26T16:38:12Z (GMT) No. of bitstreams: 1 boratto_mh_dr_bauru.pdf: 5163282 bytes, checksum: 63d587fd9642d9da4a7eb0173248c3e9 (MD5) / Made available in DSpace on 2018-03-26T16:38:12Z (GMT). No. of bitstreams: 1 boratto_mh_dr_bauru.pdf: 5163282 bytes, checksum: 63d587fd9642d9da4a7eb0173248c3e9 (MD5) Previous issue date: 2018-02-09 / Conselho Nacional de Desenvolvimento Científico e Tecnológico (CNPq) / Coordenação de Aperfeiçoamento de Pessoal de Nível Superior (CAPES) / Este trabalho compreende o estudo de óxidos semicondutores (Sb:SnO2 e TiO2) e isolantes (ZrO2) obtidos via sol-gel, e a investigação de suas propriedades, de modo a avaliar estes materiais como alternativa para aplicação em dispositivos eletrônicos, tais como Capacitor Metal-Isolante-Metal (MIM), transistores de filmes finos (TFT) e memristores. Os filmes finos de SnO2 foram obtidos através de duas soluções com diferentes tempos de envelhecimento. Os filmes finos de ZrO2 também foram obtidos a partir de duas soluções, produzidas por dois métodos distintos, não-alcoóxido e polimérico. A deposição dos filmes finos foi realizada por dip- e spin-coating, e as caracterizações foram realizadas através das técnicas de DRX, AFM, MEV, Microscopia Confocal, EDX, RBS, TG/DSC, Espectroscopia no espectro UV-Vis, Voltametria Cíclica e Espectroscopia de Impedância, afim de melhor compreender as relações entre propriedades morfológicas e estruturais dos filmes e suas propriedades elétricas. As características de filmes finos de Sb:SnO2 e ZrO2 foram analisadas em dispositivos TFT e MIM, respectivamente. Alternativamente, TiO2 foi acoplado ao Sb:SnO2 e juntos foram aplicados em memristores devido às propriedades elétricas da junção destes semicondutores. Os resultados das análises dos diferentes tipos de dispositivos eletrônicos investigados neste trabalho são discutidos considerando suas diversas características, e são também propostas opções de possíveis melhorias para tais dispositivos tornarem-se comparáveis aos estados-da-arte já existentes. / This work comprises the study of oxide semiconductors (Sb-doped SnO2 and TiO2) and insulating materials (ZrO2) obtained by sol-gel, and the investigation of their properties, aiming to evaluate these materials as alternative for application in electronic devices, such as Metal-Insulator-Metal (MIM) capacitors, Thin Film Transistors (TFT), and Memristors. The SnO2 thin films were obtained by two solutions with different aging times. The ZrO2 thin films were also obtained by two solutions, synthesized from two distinct methods, non-alkoxide and polymeric. The thin film deposition occurred mainly by dip- and spin-coating techniques, and the characterizations were performed through the techniques of XRD, AFM, SEM, Confocal Microscopy, EDX, RBS, TG/DSC, UV-Vis Spectroscopy, cyclic voltammetry and Impedance spectroscopy, in order to better understand the relations between the morphological and structural properties of these films and their electrical properties. The properties of Sb:SnO2 and ZrO2 thin films were analyzed in TFT and MIM devices, respectively. Alternatively TiO2 was coupled with Sb:SnO2 and applied to Memristors due to the electrical properties of this semiconductor junction. The analysis and results of the different devices investigated in this work are discussed considering their several characteristics, and it is also suggested options for possible enhancements for these devices become comparable to existent state-of-the-art devices.
2

Desenvolvimento de catalisadores alternativos para a redução de óxidos de nitrogênio com monóxido de carbono em plantas de fcc.

Albuquerque, Rodrigo Veiga Tenório de January 2006 (has links)
Submitted by Edileide Reis (leyde-landy@hotmail.com) on 2013-04-23T13:25:50Z No. of bitstreams: 1 Rodrigo Albuquerque.pdf: 737432 bytes, checksum: 3351ed8449f3bb0f3c8410fe64500d25 (MD5) / Made available in DSpace on 2013-04-23T13:25:50Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Rodrigo Albuquerque.pdf: 737432 bytes, checksum: 3351ed8449f3bb0f3c8410fe64500d25 (MD5) Previous issue date: 2006 / Recentemente, o desenvolvimento de tecnologias eficientes visando à redução dos óxidos de nitrogênio, em regeneradores de unidades de craqueamento catalítico em leito fluidizado, tem se tornado uma grande preocupação, devido aos rigorosos limites de emissão impostos pela legislação ambiental. Como a maioria das refinarias utiliza promotores de combustão, os catalisadores de redução devem operar em presença de monóxido de carbono e devem ser capazes de remover ambos os poluentes. Os óxidos metálicos suportados têm sido considerados como substituintes apropriados para os catalisadores à base de metais nobres. Entre eles, o cobre tem sido apontado como uma espécie ativa muito atrativa para a reação. Além disso, observou-se que a adição de um segundo metal melhora o desempenho catalítico dos materiais e que o suporte desempenha um papel importante na reação. Considerando estes aspectos, neste trabalho foi estudada a influência de diferentes suportes (ZrO2, CeO2 e ZrO2 -CeO2), no desempenho de catalisadores à base de cobre e ferro na redução catalítica de óxidos de nitrogênio usando monóxido de carbono como agente redutor. Os suportes foram preparados por técnicas de precipitação e os metais foram impregnados a partir de soluções de acetato de cobre e nitrato de ferro, seguido de calcinação a 450ºC. As amostras foram caracterizadas por análise química, análise térmica diferencial, termogravimetria, difração de raios X, medida de área superficial específica, espectroscopia por reflectância difusa na região do ultravioleta e visível, espectroscopia no infravermelho por transformadas de Fourier de monóxido de carbono quimissorvido, redução por hidrogênio à temperatura programada e espectroscopia fotoeletrônica de raios X. Os catalisadores foram avaliados, na faixa de 150 a 500ºC, na redução do óxido nítrico com monóxido de carbono. Observou-se que o suporte à base de zircônio era constituído das fases tetragonal e monoclínica e o óxido de cério da fase cúbica. Foi observado que o cério estabilizava a fase tetragonal do óxido de zircônio no suporte misto. Em todas as amostras, as áreas superficiais específicas foram próximas a 100 m2.g-1. Os resultados de XPS mostraram que o estado de oxidação do cobre era função do suporte usado. Entretanto, independente do suporte utilizado, a adição de ferro modificou as propriedades químicas do cobre favorecendo a formação de espécies mais redutíveis na superfície do catalisador. Os catalisadores contendo os dois metais mostraram-se mais ativos, seguidos por aqueles contendo ferro e cobre. O desempenho superior do catalisador bimetálico suportado em óxido de cério foi atribuído à capacidade dos metais em facilitar o ciclo redox, que ocorre durante a reação de redução do óxido nítrico com monóxido de carbono. / Salvador

Page generated in 0.0689 seconds