NDLTD Global ETD Search
  • Refine Query
  • Source
  • Publication year
  • to
  • Language
  • 2
  • Tagged with
  • 2
  • 2
  • 2
  • 2
  • 2
  • 2
  • 2
  • 2
  • 2
  • 2
  • 2
  • 2
  • 2
  • 2
  • 2
  • About
  • The Global ETD Search service is a free service for researchers to find electronic theses and dissertations. This service is provided by the Networked Digital Library of Theses and Dissertations.
    Our metadata is collected from universities around the world. If you manage a university/consortium/country archive and want to be added, details can be found on the NDLTD website.

Search results

Showing 1 to 2 of 2 (0.012 seconds)

Spelling suggestions: "subject:"シリコンジョウ"" "subject:"シリコンナノ""

1

電子注入ストレスを加えたゲート酸化膜の電流検出型原子間力顕微鏡による解析

世古, 明義, 渡辺, 行彦, 近藤, 博基, 酒井, 朗, 財満, 鎭明, 安田, 幸夫 01 August 2004 (has links)
No description available.
シリコン酸化膜
電流検出型原子間力顕微鏡法
信頼性
ストレス誘起リーク電流
トラップ
2

単一電子トラップ直視技術の開発とそれを用いた極薄ゲート絶縁膜の劣化機構の解明

近藤, 博基, 安田, 幸夫, 財満, 鎭明, 酒井, 朗, 池田, 浩也 04 1900 (has links)
科学研究費補助金 研究種目:基盤研究(A)(2) 課題番号:13305005 研究代表者:近藤 博基 研究期間:2001-2004年度
Conductive atomic force microscopy
Dielectric breakdown
Gate SiO_2 Films
HfO_2
La_2O_3- Al_2O_3複合膜
MOSキャパシタ
Metal-oxide-Semiconductor
Metal-oxide-Semiconductor(MOS)
Scanning tunneling microscopy(STM)
Scanning tunneling spectroscopy(STS)
Stress induced leakage current
ゲートSiO_2膜
ゲート絶縁膜
ストレス誘起リーク電流
ストレス誘起欠陥
極薄シリコン酸化膜
絶縁破壊
走査トンネル分光
走査プローブ顕微鏡
走査型トンネル顕微鏡
透過電子顕微鏡
金属酸化膜
電気伝導特性
電流スポット
電流検出型原子間力顕微鏡
電荷トラップ
高誘電率ゲート絶縁膜
高誘電率材料

Page generated in 0.0153 seconds