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Spelling suggestions: "subject:"シリコンジョウ"" "subject:"シリコンナノ""

1

電子注入ストレスを加えたゲート酸化膜の電流検出型原子間力顕微鏡による解析

世古, 明義, 渡辺, 行彦, 近藤, 博基, 酒井, 朗, 財満, 鎭明, 安田, 幸夫 01 August 2004 (has links)
No description available.
シリコン酸化膜
電流検出型原子間力顕微鏡法
信頼性
ストレス誘起リーク電流
トラップ
2

単一電子トラップ直視技術の開発とそれを用いた極薄ゲート絶縁膜の劣化機構の解明

近藤, 博基, 安田, 幸夫, 財満, 鎭明, 酒井, 朗, 池田, 浩也 04 1900 (has links)
科学研究費補助金 研究種目:基盤研究(A)(2) 課題番号:13305005 研究代表者:近藤 博基 研究期間:2001-2004年度
Conductive atomic force microscopy
Dielectric breakdown
Gate SiO_2 Films
HfO_2
La_2O_3- Al_2O_3複合膜
MOSキャパシタ
Metal-oxide-Semiconductor
Metal-oxide-Semiconductor(MOS)
Scanning tunneling microscopy(STM)
Scanning tunneling spectroscopy(STS)
Stress induced leakage current
ゲートSiO_2膜
ゲート絶縁膜
ストレス誘起リーク電流
ストレス誘起欠陥
極薄シリコン酸化膜
絶縁破壊
走査トンネル分光
走査プローブ顕微鏡
走査型トンネル顕微鏡
透過電子顕微鏡
金属酸化膜
電気伝導特性
電流スポット
電流検出型原子間力顕微鏡
電荷トラップ
高誘電率ゲート絶縁膜
高誘電率材料

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