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1	周波数変調AFMによる固液界面における静電相互作用力の解明およびその表面電荷分布計測への応用梅田, 健一 26 March 2012 (has links) Kyoto University (京都大学) / 0048 / 新制・課程博士 / 博士(工学) / 甲第16802号 / 工博第3523号 / 新制\|\|工\|\|1533(附属図書館) / 29477 / 京都大学大学院工学研究科電子工学専攻 / (主査)教授松重和美, 教授藤田静雄, 准教授小山宗孝 / 学位規則第4条第1項該当プローブ顕微鏡原子間力顕微鏡 500
2	Local anodic modification of Si substrates covered with a self-assembled monolayer by scanning probe microscopy / 走査型プローブ顕微鏡による有機単分子膜被覆シリコン基板の局所的陽極酸化 / ソウサガタプローブケンビキョウニヨルユウキタンブンシマクヒフクシリコンキバンノキョクショテキヨウキョクサンカ Han, Jiwon 23 March 2009 (has links) Kyoto University (京都大学) / 0048 / 新制・課程博士 / 博士(工学) / 甲第14572号 / 工博第3040号 / 新制\|\|工\|\|1453(附属図書館) / 26924 / UT51-2009-D284 / 京都大学大学院工学研究科材料工学専攻 / (主査)教授杉村博之, 教授酒井明, 准教授山田啓文 / 学位規則第4条第1項該当 Scanning probe anodization Self-assembled Monolayer 自己集積化単分子膜 500
3	単一電子トラップ直視技術の開発とそれを用いた極薄ゲート絶縁膜の劣化機構の解明近藤, 博基, 安田, 幸夫, 財満, 鎭明, 酒井, 朗, 池田, 浩也 04 1900 (has links) 科学研究費補助金研究種目:基盤研究(A)(2) 課題番号:13305005 研究代表者:近藤博基研究期間:2001-2004年度 Conductive atomic force microscopy Dielectric breakdown Gate SiO_2 Films HfO_2 La_2O_3- Al_2O_3複合膜 MOSキャパシタ Metal-oxide-Semiconductor Metal-oxide-Semiconductor(MOS) Scanning tunneling microscopy(STM) Scanning tunneling spectroscopy(STS) Stress induced leakage current ゲートSiO_2膜ゲート絶縁膜ストレス誘起リーク電流ストレス誘起欠陥極薄シリコン酸化膜絶縁破壊走査トンネル分光走査プローブ顕微鏡走査型トンネル顕微鏡透過電子顕微鏡金属酸化膜電気伝導特性電流スポット電流検出型原子間力顕微鏡電荷トラップ高誘電率ゲート絶縁膜高誘電率材料

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周波数変調AFMによる固液界面における静電相互作用力の解明およびその表面電荷分布計測への応用

単一電子トラップ直視技術の開発とそれを用いた極薄ゲート絶縁膜の劣化機構の解明