The group 14 Zintl clusters [E₉]⁴⁻ (E = Ge, Sn, Pb) have been reacted with organometallic reagents in solution in the presence of alkali metal cation sequestering agents. The synthesis, characterisation and reactivity studies of the resultant complexes are reported herein. These negatively charged clusters reductively cleave one of the M–C bonds in the group 12 homoleptic organometallic reagents MR₂ (M = Zn, Cd; R = Ph, mes, ⁱPr) to yield η⁴-coordinated functionalised clusters closo-[E₉MR]³⁻. They can also activate both of the M–C bonds in Cd(mes)₂ to form metal-bridged dimers [Ge₉CdGe₉]⁶⁻ and [Pb₉CdCdPb₉]⁶⁻. Investigating the reactivity of the functionalised cluster [E₉CdPh]³⁻ (E = Sn, Pb) towards HSn(ⁿBu)₃ results in the synthesis of the novel closo-clusters [E₉CdSn(ⁿBu)₃]³⁻. The reaction of K₄Ge₉ with the heteroleptic organometallic reagent Fe(COT)(CO)₃ yields the metalated cluster anion [Ge₈Fe(CO)₃]³⁻, in which the nuclearity of the Zintl anion is altered upon coordination of the [Fe(CO)₃] moiety. Two side products have also been isolated as [K(2,2,2-crypt)]⁺ salts of [Fe(η³-C₈H₈)(CO)₃]⁻ and [Fe₂(η³, η′³-C<sub<16</sub<H₁₆)(CO)₆]²⁻. In the presence of highly reduced Zintl anions, all the M–C bonds in homoleptic mid-row transition metal organometallic reagents can also be cleaved. These ‘naked’ metal atoms have templated the formation of the endohedral clusters [Fe@Ge₁₀]³⁻, [Fe@Sn₁₀]³⁻ and [Mn@Pb₁₂]³⁻. These clusters adopt very different geometries and the electronic origin of their structures has been investigated in-depth by DFT calculations. Structural characterisation of some side products is also reported for: [E₉(mes)]³⁻ (E = Ge, Sn) and [Ge₉Mn(mes)]³⁻.

Σκοπός της παρούσας εργασίας είναι αρχικά να μελετηθεί η επιφάνεια του οξειδίου ινδίου κασσιτέρου που έχει αποτεθεί σε υπόστρωμα ΡΕΤ και να γίνουν πάνω σε αυτήν χημικές επεξεργασίες αλλά και ιοντοβολή, ώστε να παρατηρηθούν τι επιδράσεις έχουν αυτές οι κατεργασίες στην επιφάνεια και ενδεχομένως στο έργο εξόδου. Οι κατεργασίες επιλέχθηκαν επειδή είναι γνωστή από την βιβλιογραφία η επίδρασής τους στο ΙΤΟ που όμως έχει αποτεθεί σε γυαλί, και η σύγκριση με τα δικά μας αποτελέσματα θα δώσει χρήσιμες πληροφορίες για τις διαφορές των δύο υλικών καθώς και αν οι κατεργασίες αυτές μπορούν να χρησιμοποιηθούν και αν είναι χρήσιμες για την αύξηση του έργου εξόδου του ΙΤΟ-ΡΕΤ. Επίσης, στη συνέχεια έγιναν αποθέσεις οργανικού ημιαγώγιμου υλικού (NiPc) πάνω στο υπόστρωμα ΙΤΟ-ΡΕΤ το οποίο είχε επεξεργαστεί χημικά, με σκοπό να προσδιοριστεί η ηλεκτρονική δομή της διεπιφάνειας του οργανικού και του υποστρώματος, ώστε να μελετηθεί η επίδραση του ΙΤΟ-ΡΕΤ στην συμπεριφορά της διεπιφάνειας και να διαπιστωθεί η πιθανή εφαρμογή τους σε ηλεκτρονικές διατάξεις. / The purpose of this thesis is to study the surface of indium tin oxide deposited on PET substrate after some chemical treatments and Argon Sputtering, in to order to investigate what effects these treatments have on the surface and possibly in the work function. The treatments were chosen because it is known from the literature the influence they have on the ITO, but which it has been deposited on glass, and a comparison of our results will provide useful information about differences between the two materials, and whether these treatments can be useful for increasing the work function of ITO-PET. Also, it was deposited organic semiconductor material (NiPc) onto the ITO-PET substrate that was chemically processed in order to determine the electronic structure at the interface of organic substrate and to study the effect of ITO-PET in the behavior of interface and to determine its possible application in electronic devices.