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1	Processing and characterization of advanced AlGaN/GaN heterojunction effect transistors Lee, Jaesun 22 September 2006 (has links) No description available. AlGaN/GaN HEMTs
2	Analyse de défaillance dans les transistors de puissance grand gap par électroluminescence spectrale / Failure analysis in wide band Gap power transistors by spectral electroluminescence Moultif, Niemat 22 September 2017 (has links) La microscopie à émission de photons spectrale (SPEM) est une technique non destructive utilisée comme outil de localisation des défauts et comme indicateur des mécanismes de défaillance. Cette thèse présente un nouveau système de SPEM développé pour étudier la fiabilité des dispositifs de puissance à large bande interdite, notamment les MOSFET SiC et les MEMTs AlGaN/GaN. Un aperçu des différents aspects fondamentaux de l'émission de lumière dans les dispositifs à semi-conducteurs est présenté. L'analyse spectrale en électroluminescence des MOSFET SiC à haute puissance et des HEMTs AlGaN/GaN est rapportée et corrélée avec des analyses électriques et micro-structurales pour localiser les défaillances et identifier l'origine physique de la dérive des performances de ces composants. / Spectroscopic photon emission microscopy (SPEM) is a non-destructive technique used as a defect localizing tool and as an indicator of the failure mechanisms. This thesis presents a new system of SPEM developed to study the reliability of wide band Gap power devices notably SiC MOSFETs and AlGaN/GaN HEMTs. An overview of different fundamental aspects of the light emission defects on semiconductors devices is presented. The electroluminescence spectral analysis of high power stressed SiC MOSFETs and AlGaN/GaN HEMTs is reported and correlated with electrical and micro-structural analysis to localize the failures and identify the physical origin of the performance drift of these components. Analyse de défaillance Electroluminescence Photoémission spectrale Réseau de diffraction MOSFETs SiC HEMTs AlGAN/GaN HTRB ESD RF-HTOL Caractérisations électriques Analyses micro-structurales Failure analysis Electroluminescence Spectral Photoemission Diffraction grating SiC MOSFETs AlGAN/GaN HEMTs HTRB ESD RF-HTOL Electrical characterizations Micro-structural analysis 537.62

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Processing and characterization of advanced AlGaN/GaN heterojunction effect transistors

Analyse de défaillance dans les transistors de puissance grand gap par électroluminescence spectrale / Failure analysis in wide band Gap power transistors by spectral electroluminescence