Ce travail vise à étudier la robustesse de trois générations de MOSFET SiC de puissance (Silicon Carbide Metal Oxide Semiconductor Field E_ect Transistors). Plusieurs approches sont suivies : la caractérisation électrique, la modélisation physique, les tests de vieillissement et la simulation physique. Un modèle compact basé sur une nouvelle méthode d'extraction de paramètres et sur les résultats de caractérisation électrique est présenté. Les paramètres extraits du modèle (tensionde seuil, transconductance de la région de saturation et paramètre du champ électrique transverse) sont utilisés pour analyser avec précision le comportement statique de trois générations de MOSFET SiC. La robustesse de ces dispositifs sont étudiées par deux tests : le test HTRB (High Temperature Reverse Bias) et le test ESD (Electrostatic Discharge). Une simulation physique est réalisée pour comprendre l'impact de la température et des paramètres physiques sur les caractérisations électriques des MOSFETs SiC. / This work aims to investigate the robustness of three generations of power SiC MOSFETs (SiliconCarbide Metal Oxide Semiconductor Field E_ect Transistors). Several approaches are followed :electrical characterization, device modeling, ageing tests and physical simulation. An improvedcompact model based on an accurate parameters extraction method and one electrical characterization results is presented. The parameters extracted precisely from the model (thresholdvoltage, saturation region transconductance...) are used to accurately analyze the static behaviorof two generations of SiC MOSFETs. The robustness of these devices are investigated bytwo tests : HTRB (High Temperature Reverse Bias) stress and an ESD (Electrostatic Discharge)stress. Physical simulation is conducted to understand the impact of the temperature and thephysical parameters on the device electrical characterizations.

La microscopie à émission de photons spectrale (SPEM) est une technique non destructive utilisée comme outil de localisation des défauts et comme indicateur des mécanismes de défaillance. Cette thèse présente un nouveau système de SPEM développé pour étudier la fiabilité des dispositifs de puissance à large bande interdite, notamment les MOSFET SiC et les MEMTs AlGaN/GaN. Un aperçu des différents aspects fondamentaux de l'émission de lumière dans les dispositifs à semi-conducteurs est présenté. L'analyse spectrale en électroluminescence des MOSFET SiC à haute puissance et des HEMTs AlGaN/GaN est rapportée et corrélée avec des analyses électriques et micro-structurales pour localiser les défaillances et identifier l'origine physique de la dérive des performances de ces composants. / Spectroscopic photon emission microscopy (SPEM) is a non-destructive technique used as a defect localizing tool and as an indicator of the failure mechanisms. This thesis presents a new system of SPEM developed to study the reliability of wide band Gap power devices notably SiC MOSFETs and AlGaN/GaN HEMTs. An overview of different fundamental aspects of the light emission defects on semiconductors devices is presented. The electroluminescence spectral analysis of high power stressed SiC MOSFETs and AlGaN/GaN HEMTs is reported and correlated with electrical and micro-structural analysis to localize the failures and identify the physical origin of the performance drift of these components.

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Die vorliegende Arbeit beschäftigt sich mit dem Aufbau und der Durchführung eines Teststand für Gateoxidstresstests mit einer gestuften Anhebung der Spannung und einer anschließenden Datenauswertung, um den Anwendern eine Möglichkeit zur Ermittlung der extrinsischen und intrinsischen Fehler von Bauelementen zu ermöglichen. Hierbei wurden Unterschiede zwischen den verschiedenen Herstellern von Si-IGBTs und SiC-MOSFETs gefunden und auch zwischen verschiedenen Bauelementtypen des gleichen Herstellers von SiC-MOSFETs. Zusätzlich dazu wurden die geltenden Empfehlungen für Heißsperrdauertests und Sperrtests unter feuchter Wärme auf die Nutzbarkeit für Anwender untersucht. Hierbei zeigt sich, dass in Hinblick auf die höhere Betriebstemperatur der Bauelemente die geltenden Empfehlungen für Heißsperrdauertests überarbeitet werden sollte. Für die anwendungsnahe Durchführung eines Sperrtests unter feuchter Wärme sollten ebenfalls die geltenden Empfehlungen überarbeitet werden, da für Bauelemente mit größeren Sperrspannungen als 100 V, die Sperrspannung in der Anwendung über 80 V liegt.:Inhaltsverzeichnis Abkürzungsverzeichnis Formelverzeichnis Vorwort 1 Einleitung 2 Dielektrika in Leistungsbauelementen 2.1 Anwendungen und Anforderungen an Dielektrika in Leistungshalbleitern 2.1.1 Passivierung 2.1.2 Gateoxid 2.2 Alterungsmechanismen von Dielektrika 2.2.1 Ladungen, Haftstellen bzw. Fehler im Oxid 2.2.2 Das E-Modell 2.2.3 Das 1/E-Modell 2.2.4 Zusammenspiel der beiden Mechanismen 2.2.5 Elektrochemische Migration 2.3 Grenzfläche von Dielektrika und Halbleiter 2.4 Beschleunigungsmodelle 2.4.1 Das Arrhenius-Modell 2.4.2 Das Exponential-Modell 2.4.3 Das Inverse Potenz Gesetz - IPL (Inverse Power Law) 2.4.4 Das Verallgemeinerte Eyring-Modell 2.4.5 Berechnung der Lebensdauer bei gestuften Beschleunigungstests am Beispiel eines gestuften Gatestresstests mit Anwendung des verallgemeinerten Eyring-Modells 3 Experimenteller Aufbau 3.1 HTRB - High Temperature Reverse Bias Test 3.2 H3TRB - High Humidity High Temperature Reverse Bias Test 3.2.1 Testaufbau des H3TRB 3.2.2 Teststrategie des H3TRB 3.3 HTGS -Hochtemperatur Gatestresstest 3.3.1 Testaufbau des HTGS 3.3.2 Teststrategie des HTGS 3.4 Testauswertung 4 Experimentelle Ergebnisse 4.1 Ergebnisse des HTRB 4.1.1 Diskrete Bauelemente - D2Pak und CanPAK 4.1.2 HTRB SiC-Bauelemente 4.2 Ergebnisse des H3TRB 4.2.1 Test von Silicon-Vergussmassen 4.2.2 Diskrete Bauelemente - D2Pak und CanPAK 4.2.3 SiC-MOSFET-Modul 4.2.4 SiC-Dioden 4.3 Ergebnisse des HTGS 4.3.1 HTGS - IGBTs 4.3.2 HTGS - SiC-MOSFET 5 Zusammenfassung und Ausblick Anhang A Daten H3TRB Projekt HiT-Modul B Verwendete Geräte B.1 Sperrmessung B.2 Thresholdspannungsmessung B.3 Mikroskop B.4 Klimakammer Literaturverzeichnis Abbildungsverzeichnis Tabellenverzeichnis Lebenslauf