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Organisch modifizierte Ag/GaAs-Schottky-KontakteLindner, Thomas 15 November 2000 (has links) (PDF)
In dieser Arbeit wurden die Strom-Spannungs- und
Kapazitäts-Spannungs-Kennlinien von Ag/n-GaAs(100)
Schottky-Dioden untersucht, wobei die Kennlinien durch
organische Zwischenschichten verschiedener Dicke
modifiziert werden. Dazu wird der organische Halbleiter
3,4,9,10- Perylentetracarboxyldianhydrid (PTCDA) verwendet.
Die PTCDA-Schichten werden mittels Organischer
Molekularstrahldeposition (OMBD) hergestellt. Die Charakterisierung der
Ag/PTCDA/GaAs-Dioden erfolgte sowohl in situ als auch ex situ.
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Organisch modifizierte Ag/GaAs-Schottky-KontakteLindner, Thomas 15 November 2000 (has links)
In dieser Arbeit wurden die Strom-Spannungs- und
Kapazitäts-Spannungs-Kennlinien von Ag/n-GaAs(100)
Schottky-Dioden untersucht, wobei die Kennlinien durch
organische Zwischenschichten verschiedener Dicke
modifiziert werden. Dazu wird der organische Halbleiter
3,4,9,10- Perylentetracarboxyldianhydrid (PTCDA) verwendet.
Die PTCDA-Schichten werden mittels Organischer
Molekularstrahldeposition (OMBD) hergestellt. Die Charakterisierung der
Ag/PTCDA/GaAs-Dioden erfolgte sowohl in situ als auch ex situ.
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