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Spelling suggestions: "subject:"capacitance transient dpectroscopy"" "subject:"capacitance transient espectroscopy""

1

Growth and Process-Induced Deep Levels in Wide Bandgap Semiconductor GaN and SiC / 結晶成長及びプロセスにより導入されるワイドバンドギャップ半導体GaN及びSiC中の深い準位

Kanegae, Kazutaka 23 March 2022 (has links)
付記する学位プログラム名: 京都大学卓越大学院プログラム「先端光・電子デバイス創成学」 / 京都大学 / 新制・課程博士 / 博士(工学) / 甲第23909号 / 工博第4996号 / 新制||工||1780(附属図書館) / 京都大学大学院工学研究科電子工学専攻 / (主査)教授 木本 恒暢, 教授 川上 養一, 准教授 安藤 裕一郎 / 学位規則第4条第1項該当 / Doctor of Philosophy (Engineering) / Kyoto University / DFAM
Wide Bandgap Semiconductor
Gallium Nitride
Silicon Carbide
Deep Level
Capacitance Transient Spectroscopy
Defect
500

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