Orientador : Carlos Alberto dos Reis Filho / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e de Computação / Made available in DSpace on 2018-08-02T13:09:22Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Campos_MarcelodePaula_M.pdf: 1989000 bytes, checksum: 04719353d8fb82d1065509a7f925083d (MD5) Previous issue date: 2002 / Mestrado

Orientador: Furio Dimiani / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica / Made available in DSpace on 2018-07-13T23:50:57Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Cruz_SergioAparecidoBragada_M.pdf: 2069660 bytes, checksum: 73aec2db56b12bcb2dda174fab38ea20 (MD5) Previous issue date: 1991 / Resumo: Este trabalho apresenta aspectos relativos à implementação de um sistema de aquisição automática de dados dedicada à criação de regras para reconhecimento de topologias funcionais em descrições de circuitos eletrônicos. Inicialmente são estudados os paradigmas e técnicas utilizadas no desenvolvimento de sistemas de aprendizagem por exemplos. Por fim, são apresentados um protótipo onde foram utilizadas algumas das técnicas estudadas, e os resultados obtidos. / Abstract: Not informed / Mestrado / Mestre em Engenharia Elétrica

Orientador: Francisco Carlos de Prince / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-13T23:57:40Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Lujan_AlexandreSansigolo_M.pdf: 10867611 bytes, checksum: 79219e540ba45ae66def98998d6ce302 (MD5) Previous issue date: 1991 / Resumo: Neste trabalho nos desenvolvemos uma nova técnica de difusão de Sem GaAs. A técnica usa um processador térmico rápido (RTP), para difusões de tempo curto (15-90s). Camadas com alta concentração (3x1018cm-3) e alta mobilidade (2000cm2/Vs), foram obtidas usando essa técnica. FET' s de arseneto de gálio foram fabricados e caracterizados. Transcondutâncias de 160mS/mm, para um comprimento de "gate" de 3 mm, e resistências serie de 1 Wmm foram obtidas. Os resultados mostram que a técnica desenvolvida é capaz de produzir dispositivos para uso prático / Abstract: In this work we develope a. new diffusion technique of S in GaAs. The technique uses a rapid thermal processor (RTP), for a very short time diffusions (15-90s). High concentration (3x1018cm-3) and high mobility (2000cm2/Vs) layers were obtained using this technique. Gallium arsenide FET"s were fabricated and characterized. Transcondutances of 160mS/mm, for gale length of 3 mm, and Series resistance¿s per gate width of 1 Wmm were obtained. The results show that the technique developed is capable of yield devices for practical use / Mestrado / Física / Mestre em Física

Orientador: Danton Soares Arantes / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia de Campinas / Made available in DSpace on 2018-07-14T00:59:11Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Afonso_JoseAugustoFernandes_M.pdf: 4488874 bytes, checksum: 4bf844f1e4c8be02bc3ae634fbfc6c97 (MD5) Previous issue date: 1983 / Resumo: Este trabalho estuda a operação de um circuito, empregando PLL (Phase-Locked Loop), para extração de onda de relógio de sinais PNM (Pulse Amplitude Modulation) em banda base, Este circuito utiliza a informação dos instantes de cruzamento de um certo limiar, pelo sinal, para ajustar a fase de um oscilador que determina os instantes de amostragem. O Capítulo 1 é uma breve introdução ao problema de extração de relógio na regeneração de sinais PAM. No Capítulo 2, apos uma descrição do funcionamento, em regime, do circuito proposto, deriva-se um modelo para descrever a fase do sinal de relógio (jitter) em termos espectrais.É apresentada, ainda, uma análise simplificada da acumulação do jitter ao longo de uma cadeia que emprega PLL de segunda ordem. O Capítulo 3 aborda alguns aspectos relacionados ao comportamento transitorio (Aquisição) do PLL e apresenta um tipo de discriminador de freqüências que pode ser incorporado ao circuito' como meio de acelerar a aquisição. Finalmente, no Capitulo 4, procura-se, utilizando resultados dos Capítulos 2 e 3, estabelecer um procedimento simples que leve a um projeto satisfatório de PLL de segunda ordem em extração de relógio. Dois exemplos de implementação, num caso prático, são incluídos / Abstract: Not informed. / Mestrado / Mestre em Engenharia Elétrica

Orientadores: Furio Damiani, Curt Ego Hennies / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica / Made available in DSpace on 2018-07-14T01:16:22Z (GMT). No. of bitstreams: 1 PavaniFilho_Aristides_M.pdf: 14207916 bytes, checksum: cab5d2cb9b178fff87610b099f513fb5 (MD5) Previous issue date: 1991 / Resumo: Neste trabalho apresentamos um conjunto de estruturas elétricas de teste para avaliação de parâmetros litográficos para serem empregadas na avaliação de um processo industrial de fabricação de circuitos integrados. Três foram os parâmetros investigados. A largura de linha, O overlay e a densidade de defeitos. Os circuitos de teste foram produzidos em um fabricante de circuitos integrados no exterior como parte do Projeto Multiusuário PMUCMOS 4. coordenado pelo Centro Tecno1ógico para a Informática. Foram fabricados 50 circuitos de teste composto por 9 estruturas de teste, distribuídos em duas colunas de 26 circuitos, dos quais foram avaliados 20 circuitos por coluna. Os resultados obtidos nos permitiram: 1) Avaliar a precisão do método de medidas de parâmetros litografia através de estruturas elétricas de teste; 2) Avaliar a efetividade das estruturas propostas em revelar através dos parâmetros básicos de litografia, as estratégias empregadas pelo fabricante e os parâmetros do processo litográfico / Abstract: Not informed. / Mestrado / Mestre em Engenharia Elétrica

Tese (livre-docencia) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica / Made available in DSpace on 2018-07-14T03:25:36Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Baranauskas_Vitor_LD.pdf: 6274981 bytes, checksum: b4d0ce4af82157a4fe73fae4c8c86af9 (MD5) Previous issue date: 1987 / Resumo: Não informado / Abstract: Not informed / Tese (livre-docencia) - Univer / Livre-Docente em Engenharia Eletrica

Orientador: Gaston Eduardo Barberis / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-14T21:29:28Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Martins_GeorgeBalster_M.pdf: 6248936 bytes, checksum: 4917759211ee9715dce7740a05ea6b7b (MD5) Previous issue date: 1987 / Resumo: Calculamos a posição no gap para estados associados com vacâncias ideais em C, Si, Ge, Inp, AlAs e ZnSe. Fizemos cálculos parciais, de estados no gap, para metais de transição (grupo do ferro) intersticiais em Silício. As estruturas de banda foram calculadas pelo método 'tight binding¿ semi-empírico (que é extensamente discutido). Alem dos semicondutores citados acima (com exceção do GaAs, Inp, e ZnSe) apresentamos gráficos de estrutura de banda para Sn, SiC, Gap, AlP e AlSb. Além da apresentação física detalhada do problema de defeitos localizados, procuramos encontra-lo também sob uma perspectiva histórica, ressaltando os problemas teóricos e experimentais a ele associados. Acreditamos firmemente que a proposta (por nós colocada) de continuação dos cálculos com metais de transição fornecerá bons resultados, representando uma maneira simples e econômica de interpretação de experiências em andamento no grupo / Abstract: We have calculated the position in the gap for ideal vacancy states (C, Si, Ge, GaAs, InP, AlAs e ZnSe), and made partial calculations for localized states in the gap for interstitial (Td) transitions metals (Iron group) in Silicon. The band structures were calculated by the tight binding method and for point defects we used the Green¿s function method. Besides the above cited semiconductors (with the exception of GaAs, Inp and ZnSe) we present band structure graphics for Sn, SiC, GaP, AlP and AlSb. Beyond the detailed physical presentation of the localized states problem we tried to put it into historical backgrounds, emphasizing the theoretical and experimental aspects of it. We firmly believe that our proposal for the continuation of the transition metals calculations will furnish good results, representing a simple end economical way to interpret the experiments of our grou / Mestrado / Física / Mestre em Física

El presente trabajo de investigación se titula “Implementación del sistema de ventilación en el Nivel 4050 veta Don Ernesto Unidad Minera El Porvenir – MILPO”. Cuyo objetivo general es “Determinar la factibilidad de la implementación y aplicación del sistema de ventilación, realizar la evaluación en tiempo real de los circuitos de ventilación en las labores del Nivel 4050 Veta Don Ernesto en la Unidad Minera El Porvenir – Milpo” y su objetivo específico es: “Realizar un levantamiento integral de ventilación para determinar un diagnóstico situacional e implementar todo el sistema de ventilación”.

Dissertação (mestrado) - Universidade Federal de Santa Catarina, Centro Tecnológico, Programa de Pós-Graduação em Engenharia Elétrica, Florianópolis, 2016. / Made available in DSpace on 2016-09-20T04:02:47Z (GMT). No. of bitstreams: 1 340509.pdf: 904526 bytes, checksum: 4ae42d34116068daa4e9a9c4dd97afea (MD5) Previous issue date: 2016 / Este trabalho é focado na implementação digital de um pedal de efeito de áudio do tipo overdrive. Com esse objetivo, primeiramente é realizada a análise do circuito do pedal, identificando as suas etapas lineares e não lineares. Considerando que a implementação digital de circuitos lineares é uma tarefa bastante conhecida, este estudo se dedica, em especial, à implementação da etapa não linear. Nesse contexto, é proposta uma nova abordagem baseada em filtragem adaptativa e no uso de uma estrutura não linear de filtragem. Para ilustrar a eficácia dessa abordagem, são apresentados resultados de experimentos realizados com sinais obtidos através da simulação do circuito e do circuito real (montado em uma placade circuito impresso). Além disso, é realizada uma avaliação da variabilidade dos componentes do circuito real.<br> / Abstract: This work is devoted to the digital implementation of an overdrive guitarpedal. To this end, the circuit of such a pedal is studied and its linear and nonlinear stages are identified. Then, considering that the digital implementation of linear circuits is a well-known task, a special effort is carried out towards the effective implementation of the nonlinear stage ofthe circuit. In this context, a new approach based on adaptive filtering and also on the use of an appropriate nonlinear filtering structure is proposed. To confirm the effectiveness of the proposed approach, results of experiments performed by using signals obtained via circuit simulationand from a real circuit are presented. In addition, an assessment of the variability of the components of the real circuit is carried out.

Orientador : Mario Lucio Cortes / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica / Made available in DSpace on 2018-07-13T23:13:15Z (GMT). No. of bitstreams: 1 FurtadoNeto_JosedeMendonca_M.pdf: 5973874 bytes, checksum: ac9c85a2bb5b5fccba3a26a850d64006 (MD5) Previous issue date: 1990 / Resumo: Este trabalho propõe um novo algoritmo para a geração de padrão de teste para circuitos digitais combinacionais, descritos de forma hierárquica, o H-ALG. O algoritmo não faz uso de "backtracking" (retrocesso automático [Wagner 88]) e detecta todas as falhas detectáveis. Baseia-se na idéia de se resolver o teste para pequenas células e depois combiná-Ias de uma fonna incremental [Cônes 88]. As células podem ser ponas lógicas simples, ponas complexas, redes de transistores de passagem, PLA 's, ROM's, ou qualquer outro tipo de lógica combinacional. Não se limita a tratar falhas do tipo "stuck-at" e não requer simulação de falhas. O algoritmo admite um número ilimitado de níveis hierárquicos, sendo que o esforço para a geração do teste de uma determinada célula só é aplicado uma vez. Nas demais instâncias desta mesma célula o teste é apenas chamado da biblioteca, onde fora armazenado. O algoritmo foi implementado em linguagem "C". Neste trabalho também são apresentados alguns resultados obtidos a partir desta versão / Abstract: Not informed. / Mestrado / Mestre em Engenharia Elétrica