Orientador : Carlos Alberto dos Reis Filho / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica e de Computação / Made available in DSpace on 2018-08-02T13:09:22Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Campos_MarcelodePaula_M.pdf: 1989000 bytes, checksum: 04719353d8fb82d1065509a7f925083d (MD5) Previous issue date: 2002 / Mestrado

Orientador: Francisco Carlos de Prince / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Instituto de Fisica Gleb Wataghin / Made available in DSpace on 2018-07-13T23:57:40Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Lujan_AlexandreSansigolo_M.pdf: 10867611 bytes, checksum: 79219e540ba45ae66def98998d6ce302 (MD5) Previous issue date: 1991 / Resumo: Neste trabalho nos desenvolvemos uma nova técnica de difusão de Sem GaAs. A técnica usa um processador térmico rápido (RTP), para difusões de tempo curto (15-90s). Camadas com alta concentração (3x1018cm-3) e alta mobilidade (2000cm2/Vs), foram obtidas usando essa técnica. FET' s de arseneto de gálio foram fabricados e caracterizados. Transcondutâncias de 160mS/mm, para um comprimento de "gate" de 3 mm, e resistências serie de 1 Wmm foram obtidas. Os resultados mostram que a técnica desenvolvida é capaz de produzir dispositivos para uso prático / Abstract: In this work we develope a. new diffusion technique of S in GaAs. The technique uses a rapid thermal processor (RTP), for a very short time diffusions (15-90s). High concentration (3x1018cm-3) and high mobility (2000cm2/Vs) layers were obtained using this technique. Gallium arsenide FET"s were fabricated and characterized. Transcondutances of 160mS/mm, for gale length of 3 mm, and Series resistance¿s per gate width of 1 Wmm were obtained. The results show that the technique developed is capable of yield devices for practical use / Mestrado / Física / Mestre em Física

Orientadores: Furio Damiani, Curt Ego Hennies / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica / Made available in DSpace on 2018-07-14T01:16:22Z (GMT). No. of bitstreams: 1 PavaniFilho_Aristides_M.pdf: 14207916 bytes, checksum: cab5d2cb9b178fff87610b099f513fb5 (MD5) Previous issue date: 1991 / Resumo: Neste trabalho apresentamos um conjunto de estruturas elétricas de teste para avaliação de parâmetros litográficos para serem empregadas na avaliação de um processo industrial de fabricação de circuitos integrados. Três foram os parâmetros investigados. A largura de linha, O overlay e a densidade de defeitos. Os circuitos de teste foram produzidos em um fabricante de circuitos integrados no exterior como parte do Projeto Multiusuário PMUCMOS 4. coordenado pelo Centro Tecno1ógico para a Informática. Foram fabricados 50 circuitos de teste composto por 9 estruturas de teste, distribuídos em duas colunas de 26 circuitos, dos quais foram avaliados 20 circuitos por coluna. Os resultados obtidos nos permitiram: 1) Avaliar a precisão do método de medidas de parâmetros litografia através de estruturas elétricas de teste; 2) Avaliar a efetividade das estruturas propostas em revelar através dos parâmetros básicos de litografia, as estratégias empregadas pelo fabricante e os parâmetros do processo litográfico / Abstract: Not informed. / Mestrado / Mestre em Engenharia Elétrica

Tese (livre-docencia) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica / Made available in DSpace on 2018-07-14T03:25:36Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Baranauskas_Vitor_LD.pdf: 6274981 bytes, checksum: b4d0ce4af82157a4fe73fae4c8c86af9 (MD5) Previous issue date: 1987 / Resumo: Não informado / Abstract: Not informed / Tese (livre-docencia) - Univer / Livre-Docente em Engenharia Eletrica

Orientador: Jose Antonio Siqueira Dias / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica / Made available in DSpace on 2018-07-13T23:30:32Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Sinhorim_GilmarJose_M.pdf: 2684958 bytes, checksum: 5cf939519d9c8f1a2c9205cf370a8499 (MD5) Previous issue date: 1991 / Resumo: Neste trabalho foi desenvolvida uma fonte de tensão programável, controlada por microcomputador, para utilização em sistemas automáticos de aquisição de dados usados na caracterização de circuitos integrados. A fonte desenvolvida tem capacidade para atingir tensões de 100 Volts (salda bipolar), com corrente de salda de até 30 mA. Os fundos de escala são selecionáveis por programação, sendo que, dentro de cada faixa de operação, a resolução da tensão de salda é de 12 bits / Abstract: Not informed. / Mestrado / Mestre em Engenharia Elétrica

Orientador : Carlos I.Z. Mammana / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia de Campinas / Made available in DSpace on 2018-07-15T13:50:47Z (GMT). No. of bitstreams: 1 ReisFilho_CarlosAlbertodos_M.pdf: 2378439 bytes, checksum: 603e03dc99a6f745f5396ec2a9e348f4 (MD5) Previous issue date: 1978 / Mestrado

Orientador : Edmundo da Silva Braga / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica / Made available in DSpace on 2018-07-16T17:45:39Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Tatsch_PeterJurgen_D.pdf: 5603453 bytes, checksum: 40261195b8c66f7bce35d36b326f4359 (MD5) Previous issue date: 1988 / Resumo: Neste trabalho é apresentado um estudo da viabilidade da oxidação do silício por plasma, em reator planar, como prcesso de baixa temperatura para a fabricação de circuitos integrados. No capítulo inicial coloca-se o contexto do trabalho assim como a sua proposiçao. No segundo capítulo apresenta-se uma descrição concisa da fenomenologia e do rnodelamento atinentes ao plasma utilizados no desenvolvimento do trabalho. No terceiro capítulo descreve-se sinteticamente a estrutura do sistema silício-dióxido de silício. O quarto capítulo versa sobre o projeto do reator planar utilizado e sobre os procedimentos experimentais aplicados na , preparação das amostras e na sua caracterização. As amostras foram oxidadas em plasmas de oxigênio e misturas de oxigênio e tetracloreto de carbono. O plasma foi analisado por espectrometria óptica e os filmes de óxido foram estudados através de medidas C-V de alta frequência, elipsometria e taxa de corrosão em reagente P. No último capítulo apresentam-se os resultados experimentais e sua análise. Obtiveram-se densidades efetivas de carga na faixa de 10 11 cm-2 e taxas de oxidação entre 0,4 nm min-l e 1,3 nm min-l, fortemente dependentes das condições do plasma. As medidas de espectrometria óptica mostram que o oxigênio atômico é a espécie principal envolvida no mecanismo da oxidação / Abstract: Not informed. / Doutorado / Doutor em Engenharia Elétrica

Orientador : Jacobus W. Swart / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica / Made available in DSpace on 2018-07-18T13:53:57Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Verdonck_PatrickBernard_D.pdf: 18440286 bytes, checksum: 3be31f1d7e48fc0452a7a3898433e08a (MD5) Previous issue date: 1993 / Resumo: Neste trabalho apresentamos o desenvolvimento de processos de "back-etch" para a formação de "plugs" e de processos para obter estruturas em tungstênio com paredes verticais. Ao mesmo tempo apresentamos o estudo dos mecanismos da corrosão de tungstênio por plasma. Neste trabalho usávamos principalmente dois tipos de equipamentos de corrosão por plasma. O primeiro tem a potência aplicada a uma frequência de 25 kHz, ao invés da tradicional 13,56 MHz. O segundo é do tipo reator com confinamento magnético. Em ambos os sistemas é possível obter corrosão química e corrosão induzida por bombardeamento iônico. Conseguimos obter bons processos de IIback-etch" em ambos os equipamentos. É possível obter estruturas de tungstênio com paredes verticais em ambos os equipamentos. Porém a seletividade de tungstênio para fotorresiste é sempre baixa, tipicamente 1:1. Portanto precisar-se-ia de um tipo de máscara especial para a corrosão de tungstênio quando este é usado como interconexão. A maioria dos mecanismos, como descritos na literatura foi confirmada neste trabalho. Onde há contradições na literatura, conseguimos determinar qual mecanismo é valido, como no caso de corrosão química, ou em quais circunstâncias qual mecanismo é válido, como no caso da formação e influência do óxido de tungstênio. Podemos também concluir que para a grande maioria dos processos, o mecanismo que limita a taxa de corrosão do tungstênio, é a chegada das espécies reativas na superfície da lâmina. Para os outros processos, há fortes indicações que a interação plasmatungstênio- resiste causa fenômenos que limitam a taxa de corrosão. As conclusões deste trabalho não são apenas válidas para os equipamentos estudados aqui, mas também para outros sistemas / Abstract: In this work, we present the development of processes to obtain a back etch process for plug formation in via holes and of processes to obtain tungsten structures with vertical walls. At the same time, the mechanisms behind the tungsten etching were studied. These studies were mainly performed in two different types of equipment. The first one is a system with power applied at 25 kHz, instead of the traditional 13.56 MHz. The second equipment is a magnetically confined reactor. In both systems it is possible to have chemical etching and bombardment enhanced etching. We were able to develop good back etch processes in both equipment. It is possible to obtain tungsten structures with vertical walls in both equipment, but the selectivity of the tungsten towards the resist is always low, typically 1:1. Therefore, one would need special mask structures or materiaIs for this type of etching of tungsten when it is used as an interconnect material ( e.g. as metal 1 ). Most of the mechanisms of the tungsten etching as reported in the literature were confirmed in this work. Where there are contradictions, mainly about the possibility of chemical etching of tungsten and the formation and influence on the etching of the tungsten oxide, we were able to draw one conclusion, e.g. that chemical etching is possible, or indicate in which circurnstances one mechanism is valid and in which circurnstances another mechanism is valid, as in the case of the etch delaying role of tungsten oxide. We could also conclude that the arrival of the active species at the surface of the wafer is the etch rate limiting step most processes. For other processes, we have strong indications that the interaction plasma-tungsten-resist induces some phenomena which limit the etch rate. And for some other processes the removal of the etch product can be indicated as the etch rate limiting step. These conclusions are not only valid for the systems studied in this work, but also for other types of equipment / Doutorado / Doutor em Engenharia Elétrica

Orientador: Carlos Alberto dos Reis Filho / Dissertação (mestrado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica / Made available in DSpace on 2018-07-18T14:05:35Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Germanovix_Walter_M.pdf: 4356348 bytes, checksum: f977be7a83c04c863a401ab70550eb47 (MD5) Previous issue date: 1993 / Resumo: Transmissores de loop de corrente, alimentados por uma unidade central, são os meios mais usados para interfaceamento de sensores remotos e equipamentos de leitura de dados, de um sistema de controle de processo. Estes transmissores fornecem um condicionamento ¿in loco¿ do sinal produzido pelo sensor, estabelecendo uma relação linear entre o sinal do sensor e a corrente de loop. O transporte de informação, por meio da modulação de insensível às corrente, tem a vantagem de ser bastante interferênciais ambientais. Alem disso, a informação pode ser facilmente lida pela central que alimenta o transmissor. Normalmente, toda unidade remota, que consiste de um transmissor de loop de corrente e um sensor, é conectada individualmente a um equipamento de leitura de dados através de um par de fios. Consequentemente quando um numero grande de sensores é envolvido, uma grande quantidade de cabos convergem para a central, causando dificuldades para a expansão e manutenção do sistema. Este trabalho descreve uma técnica de endereçamento, específica para esta aplicação, utilização que permite a utilização de apenas um par de fios do qual compartilham diversas unidades remotas. Resultados de uma montagem experimental, que inclui uma linha de transmissão de 400 m, com três unidades remotas endereçáveis são apresentados / Abstract: Not informed. / Mestrado / Mestre em Engenharia Elétrica

Orientador: Ivanil Sebastião Bonatti / Tese (doutorado) - Universidade Estadual de Campinas, Faculdade de Engenharia Eletrica / Made available in DSpace on 2018-07-18T21:28:08Z (GMT). No. of bitstreams: 1 Silva_AlexandreCesarRodriguesda_D.pdf: 7276095 bytes, checksum: d0608097ff65b897c2a32b4352060fab (MD5) Previous issue date: 1993 / Resumo: Este trabalho trata do problema de simplificação de funções booleanas e da redução de estados, em máquinas de estados finitos, modelando-os como um problema de programação matemática. Na minimização lógica, os implicantes são gerados aplicando-se o algoritmo do consenso numa árvore binária que representa a função booleana. A cobertura mínima é obtida resolvendo-se um problema de programação linear inteira 0 e 1, cuja função objetivo é a soma ponderada de todos os implicantes primos e as restrições correspondem a soma dos implicantes primos que cobrem cada mintermo da função. Na minimização de funções booleanas com múltiplas saídas o problema de cobertura mínima pode ser modelado como um problema matemático não linear dependendo do critério de otimização utilizado. o método de geração de classes de compatibilidades máximas foi utilizado para a redução de estados. A função objetivo é formulada como a soma das classes primas sujeita às restrições de cobertura e fechamento. Uma vez formulado como um problema de programação matemática, a minimização de funções booleanas e a redução de máquinas de estados se abrem para as novas técnicas desenvolvidas nessa área de pesquisa / Abstract: This work proposes a method of dealing with the problem of boolean function minimization and finite state machine reduction by modeling each of them as a mathematical programming problem. In the logic minimization, prime implicants are generated by applying the consensus algorithm in the binary decision tree that represents a boolean function. A minimal cover can then be obtained by solving an integer linear program with objective function as a weighing sum of prime implicants whose constraints are the sums of prime implicants covering each minterm. In a multiple-output boolean function minimization, a minimal cover problem may be modelled as a non-linear mathematical problem depending on the specific optimization criterion that is used. The method of generating the maximal compatibility classes has been used for the state reduction phase. The objective function is formulated as the sum of the prime classes, and the constraints are due to restrictions of covering and closure. Once formulated as a mathematical programming problem, the boolean function minimization and the state machine reduction are opened to the new techniques that have been developed in this research area / Doutorado / Doutor em Engenharia Elétrica